하프 커팅후 절단

하프 커팅후 절단

1. 전자부품
   1. 다이싱
      1. 하프 커팅후 절단 - 이 페이지
      2. 도랑 파기
2. half-cut 다이싱 후
   1. Bevel cut
      1. IR 차단 필터
         1. 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
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              유리는 Bevel cut 다이싱

         2. 2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 IM-U660K 피처폰
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              IR 차단 필터 유리는 Bevel cut 다이싱

      2. 주변광 조도센서
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           WLP를 위해 에칭으로 실리콘 다이 측면을 45도 경사로 만들었다. IR 차단 필터 유리 또한 Bevel cut 하프 커팅후 절단하였다.

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           불에 태워서 IR 차단 필터(Bevel cut 하프 커팅후 절단되어 있다.)를 떼어냄. 투명 유기물 접착제가 불에 탔다.

      3. SAW-핸드폰DPX에서
         1. Epcos 2.5x2.0mm 제품에서만 발견됨.
         2. 2012.06 출시 삼성 SHV-E210K 갤럭시 S3 스마트폰
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              V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다.

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         3. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
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              LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다.

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   2. step cut: 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.
      1. LTCC 기판
         1. 파나소닉 UJDA745 노트북용 DVD 드라이브
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              두꺼운 블레이드로 절반 다이싱 하였다.

      2. 정전식 지문센서
         1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
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              지문센서 실리콘 IC는 두 번 다이싱으로 잘랐다.

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              지문센서 커버창은 레이저 다이싱. 센서IC와 커버창은 서로 약간 떠 있다.

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              그림

      3. 지자기센서라고 부르는 나침반, AKM AK8963 3-axis electronic compass IC
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           두 번 다이싱

      4. 가속도센서
         1. 2018.06 출시한 샤오미 미밴드3
            1. 사진
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            2. 다이싱
               1. 판독IC: half cut (full cut 해도 될텐데...)
               2. MEMS 센서: 두 장의 실리콘 wafer을 서로 웨이퍼 본딩 후, 뚜껑 웨이퍼 두께만 half cut 다이싱한 후, (뒤집어서?) full cut 다이싱
                  1. 웨이퍼 본딩을 유리 frit 접착제로 해서 바로 블레이드 다이싱을 하면 깨지는 문제가 있는 듯.
      5. Fukuta 에어리크에서 보조 차압센서
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           실리콘 센서 다이와 구멍이 있는 유리 다이(하프 커팅후 절단되었다.)를 서로 붙였다.

   3. 뒤집어 다시 잘랐다.(추정)
      1. BT모듈
         1. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰
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              0.4x0.2mm 칩저항기 및 LTCC 다이싱 방법

   4. half-cut 후 부러뜨렸다.
      1. Advantest TR6878 DMM 정밀저항기에서
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           다이싱은 half-cut

   5. 뒷면에서 half-cut 후 부러뜨렸다.
      1. 압전 저항 센싱 방식의 가속도센서
         1. MEMSIC A2500G 모델. 진동막이 다이싱 때 깨지면 안되므로 웨이퍼 뒷면에서 다이싱하는 듯.
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              상당히 얇은 표면 층을 남겨두는 다이싱했다.

   6. LTCC 제품 중에서 에폭시 몰딩품에서
      1. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰 , SAW-모듈
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           LTCC는 레이저 천공, 에폭시는 half-cut 다이싱 후 부러뜨린 듯

      2. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰 , SAW-모듈
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           LTCC 다이싱 방법

      3. 2015.06 출시 LG-F570S LG Band Play 스마트폰
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           양면 half 다이싱

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           잘리지 않은 에폭시층을 부러뜨렸다.

      4. Rx 스위치+SAW 모듈
         1. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
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   7. 실리콘 웨이퍼
      1. TCXO 내부 실리콘 IC에서
         1. 만도 KMD-100 RF하이패스 단말기, 로스윈PLL 모듈속에서
            1. 실리콘 IC 하프 커팅후 절단. 위에서 두께의 45% 천천히 자르고, 20% 깊숙히 빠르게 자르고, 뒤집어 나머지 자른듯(?)
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      2. Panasonic VP-7750A 와우 플러터 미터
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           LM306H, high-speed voltage comparators

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           NEC uPC157A, op amp.

      3. HP 8112A 50 MHz pulse generator에서, 어떤 Tr에서
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      4. 인텔 8085 MCU, 1985년 제조품에서. 당시 full dicing은 어려운 기술이었다.(?)
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           60% 깊이로 블레이드 휠 다이싱 후 부러뜨렸다.

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      5. PIR센서
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           길이 방향만 하프다이싱, 폭방향은 풀다이싱