15일, 8시간, 47분 - Togotech

FET

(MOSFET에서 넘어옴)

FET

  1. 전자부품
    1. 디스크리트
      1. FET - 이 페이지
      2. JFET - 이 페이지
      3. MOSFET - 이 페이지
    2. 참조
      1. Tr
  2. 능동 정류기로 사용되는MOSFET
  3. 배터리 관리 회로에서, 전력용 스위칭
    1. BGA
      1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰, 배터리 팩에서
        1. 배터리 보호 회로에서 외관
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          • FET 스위치, 뒷면은 비교적 두꺼운 금속 코팅 및 딱딱한 투명 수지로 도포함.(열방출 및 강도향상)

          • 전류감지용 저저항, FET 스위치, SMD P-PTC 퓨즈

        2. 분해
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      2. 2010년 출시된 iPad 1세대, WiFi+3G 모델 A1337 태블릿, 배터리 보호회로에서
        1. FET Fairchild FDZ2553N 14mΩ@4.5V, 9.6A 20V, Monolithic Common Drain N-ChannelMOSFET(1990년도에 개발한 듯. 이 방열기술을 사용하면 면적을 1/3으로)
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      3. 2020.05 출시 삼성 갤럭시 A51, SM-A516N 스마트폰 배터리 보호회로에서. 저항을 줄이기 위해 대면적을 사용

        • 두 다이가 180도 본딩되어 있다.

        • Panasonic WK0064

        • sm a516n 005 008.jpg
    2. SMD 리드타입
      1. 2013.11 출시 노트북, Gigabyte P34에서

        • Alpha & Omega Semiconductor, AO4488 30V 20A N-ChannelMOSFET // Second-Level Over-Voltage Protection

  4. 디스크리트 전력용 스위칭
    1. 구입, 입수
      1. 800V 6.6A N-ChMOSFET
        1. 32.768kHz TCXO를 AliExpress에서 10개씩 판매한다는 ShenZhen KeLeWei Store에서 2023/05/24 22.49$로 구입의뢰했으나, 도착한 제품은 아래와 같은 800V 6.6A N-ChMOSFET. 이의신청하여 환불받음.

          • SST80R850S SSS(Shanghai Super Semiconductor)

      2. 30V 80A 10mΩ N-ChMOSFET, NCE3080K 제품규격서
        1. AliExpress, 10개 구입, 2.45$/10개
          • fet nce3080k 001.jpg
        2. 비스카 핸디형 무선청소기 VK-H740VC에서 사용된다.

          • 왼쪽제품이 신규 FET

          • 고장난 FET를 뜯어냄

          • 새로운 FET를 납땜함.

        3. 고장품 내부
        4. 신규 구입품 내부, 고장품과 비교 하기 위해서 분해함. 고장품과 패턴이 다른다.(?)
    2. TO-220 플라스틱 패키지
      1. 개발 완료후, 문제가 있어 임시로 수정하여 사용하고 있는
        1. 팅클발전소 솔라인버터, AC인버터

          • IRF3205 MOSFET 55V 8mΩ@10V 110A, 설계 오류를 해결하기 위해 gate 핀에 100Ω저항을 추가했다.

      2. 마킹없는 IC처럼 마킹을 지웠다.
        1. Microtest TF-6815 임펄스테스터에서
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      3. IRF540 특성 측정
        1. 규격서 - 8p, Vds=100V, Id=22A, Rds=0.055Ω
        2. Keysight B2902A 소스미터 측정 방법
          • fet irf540 002.png
          • fet irf540 003.png
        3. Agilent B2902A 소스미터(3A가 max)로 측정 엑셀 데이터

          • 기울기 R=0.26Ω

      4. 동작 온도 측정
        1. EPSON TX420W 잉크젯 복합기의 프린터용 SMPS
          1. 2.0A에서는 차단되어, 1.8A 76W 부하에서 방치하면, (방열판이 없는) STM 900V 3A P3NK902FP FET가 약 190'C까지 상승한다.
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      5. Miyachi ML-7110B 레이저마커 분해

        • ON/OFF용(?) 2SK1522 FET

      6. ATK830, 500V 4.5A
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      7. 2SK2225, 1500V 2A
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        • 가장자리 border에 폴리이미드 passivation 코팅

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      8. FQP50N06, 60V 50A
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      9. STK0260,MOSFET 600V 0.6A, AUK(Kodenshi AUK;광전자)
      10. STK0765, 광전자(AUK) 전력용 스위칭용 FET 650V, Rds=1.2Ω
        1. LG L1742T 17인치 LCD 모니터
      11. HP 6060B 전자부하에서

        • FET 양쪽에 4개씩 총 8개

      12. HP E3640A DC 전원공급기 8V/3A, 20V1.5A
      13. 인파워텍 IPT-400WH, AC인버터

        • PowerMOSFET 6개 고정 및 방열, 온도측정용 써미스터

        • 왼쪽 두 개 IRF2807MOSFET 75V 13mΩ 82A

        • IRFB11N50AMOSFET 500V 0.52Ω 11A

      14. 형광등 안정기에서
        1. 솔라세라믹에서 안정기가 고장난 제품에서
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          • SVD730T, Silan Microelectronics, 5.5A 400V N-channelMOSFET

      15. HP 6675A DC 전원공급기
        1. IC소켓에 꼽아 사용된, IRFP240R, MOSFET, 평활용 C 전압을 낮추는 용도(?)
      16. FET complementary drive 회로
        1. 니콘넥시브 VM-150N 제어보드
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          • 2SJ147(P-ch FET) -60V -12A, 2SK532(N-ch FET) 60V 12A

      17. gate drive circuit
        1. MJ Research PTC-200 펠티어 오븐,

          • BUZ11 FET

          • FET on/off control cicuit module(Gate Drive Circuit)

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        2. FK18SM-10
          1. Kikusui PCR-500M AC 전원공급기

            • Renesas FK18SM-10, High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET, 500V 0.50Ω 8A 150ns

            • TC1412C gate driver // L15,16,17로 적혀 있어, 파란색이어도 Ferrite Bead일 것으로 추측

    3. TO-5 원형 금속패키지
      1. 4446xA 플러그인 모듈
        1. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-ChannelMOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
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    4. TO-3 다이아몬드형 금속패키지
      1. HP E5060A B-H Z Analyzer, EMI 차폐된 SMPS에서
      2. HP 6675A DC 전원공급기
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    5. SMD
      1. 삼성 DeX Pad, EE-M5100 도킹스테이션에서, 전원 관리 부분에서 사용되는 FET 스위치

        • Q2, Q3에서 Q3 분해

        • Au ball 본딩 10개

    6. SIP
      1. Yokogawa LR4110 펜레코더에서
        1. 도트매트릭스 프린터 참조

          • NEC uPA1526H 4ch PowerMOSFET array

  5. FET - 신호 스위칭
    1. NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Tr pair 방식으로 Differential Amplifier를 만들 수 있다.
      1. Iwatsu VOAC7513 DMM A/D보드에서,

        • NEC uPA71A

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      2. Advantest R6551 DMM, AC 보드에서

        • NEC, uPA71A, Silicon N-channel dual junction FET, Differential Amplifier

    2. 장치에서
      1. Kikusui 103 전압소스에서

        • 리드 4개, gate가 2개 존재

        • 2SK12 FET는 TO-17 패키지로 리드가 4인데, 1개는 위로 올린 후 잘랐다.

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      2. 휴대용, LIFETRONS X-mini에서

        • 충전과 방전을 위한 FET 스위치

      3. CCTV, 4채널 합성기
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      4. HP 4321A, 44465A, (opt 050) digital I/O assembly에서. FET(Intersil, IVN5201TNF, N-ChannelMOSFET, 80V, 4A) 싱가포르
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      5. Takeda Riken TR6150 DC전압/전류 소스에서
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        • 2N4859

        • 2N4859, N-Channel silicon JFETs designed for analog switching and chopper applications

      6. HP 5334B 카운터, 입력 신호 증폭기

        • 2N4416 N-Channel JFET

      7. Takeda Riken(Advantest) TR6878 DMM에서
        1. Range Amp. 용 스위치용
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      8. Iwatsu VOAC7513 DMM
        1. 입력 신호 J- FET 스위치 5개(2N4117)
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      9. Tencor m-gage 300 표면저항 측정기, 2N4416A, silicon N-Channel Junction Field Effect Transistors designed for VHF amplifier and mixer applications.
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      10. Keithley 195A DMM

        • function, range 스위치용 JFET

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