"PAM"의 두 판 사이의 차이

2025년 1월 26일 (일) 16:07 기준 최신판

PAM(Power Amplifier Module)

전자부품
1. RF-IC
  1. PAM - 이 페이지
2. 참조
3. 참고
국내회사
1. FCI; Future Communications Integrated circuit Inc. (=Future Communications IC, Inc.)
  1. 회사 로고 참조
2. Wavics, 웨이브아이씨스
  1. 2004.07.07 전자신문 기사
    1. 대표 정기웅
    2. 3년간 개발비 60억, 연구개발인력 35명 투입하여 3x3mm 크기. 두 개 모델, 16dBm으로 전력효율이 18%로 기존대비 2대 가량 높다.
    3. GaAs 웨이퍼
  2. 2005.01.20 발표자료
    1. 당시 Agilent 회사에서 2005.01.20 인수를 발표함. 당시 55명 직원을 둔 팹리스 회사.
    2. 2000년 12월 설립.
    3. 당시 CoolPAM이라는 전력증폭기 기술을 상품화함.
    4. 손영돈 사장, 홍종국 씨
3. WiPAM, 와이팜 http://www.wipam.co.kr/
  1. 2006년 설립
  2. 2008.01 옴니아용 전력증폭기 납품
  3. 2013년 LTE용 전력증폭기 납품
  4. 2020년 코스탁상장
  5. 2020년 374억매출, 37억 영업손실, 순이익 93억
  6. 2021년 600억매출, 1억 영업이익, 순손실 71억
해외회사
1. Anadigics
  1. AWU6601, 6602, 6604, 6605, 6608
    1. 2009.06/07월 semiconductor today 잡지, Vol.5 Issue 5에서, 10페이지 추출
데모보드
1. Wavics WS1102, CDMA/AMPS용(824-849MHz), 3x3mm, 2005년 4월 21일 제작 보드
  1. 데이터시트
  2. 2022/02/10 발견
핸드폰 연도별
1. 1998년
  1. 1998 Motorola StarTAC AMPS 휴대폰 보드에서
    - Motorola PIM08K41 PAM에서 나온 Tx신호가 SAW-핸드폰DPX로 들어가기 전에, 평행한 두 선이 커플러이다.
2. 2005년
  1. 2005.05 출시 Motorola MS500 폴더 피처폰
    - Qualcomm RFR6120 ZIF downconverter, RFT6120 upconvertor, 77162 Skyworks PAM CDMA/AMPS(824-849 MHz)
3. 2005.02 출시 싸이버뱅크 CP-X310 PDA폰
  1. Skyworks CX77105-16P (824~849MHz) 데이터시트 - 17p
    - 쉽게 깨지는 Gallium Arsenide(GaAs) 다이 50% 면적을 분실
    - 짱 Zzang-C2 IC 표식
4. 2006년
  1. 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰
    1. CDMA/AMPS(824~849MHz) 4x4mm, Agilent WS1111 (Wavics; 웨이브아이씨스 회사 다이)
      - Agilent WS1111, 05년 38주차
      - Wavics D-R1D
      - Wavics
  2. 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
    1. FCI FC7214 PAM for KPCS CDMA
    2. 사진
      - World's First Zero-IF Chipset, Qualcomm RFT6100 Tx IC, Qualcomm RFR 6000 Rx IC, FCI 7214 PAM
  3. mini PCIe WiFi 카드, Intel PRO/Wireless 3945ABG (모델명: WM3945AG)
    1. Power Amplifier Module(PAM)-1, Anadigics
      - Anadigics, AWL6950, dualband, 4x4x1.3mm
      - 써멀 비아를 위한 기판 홀 가공
    2. Power Amplifier Module(PAM)-2, TriQuint
      - TriQuint, TQM3M7001, dualband, 3x3x0.9mm
      - 왼쪽 다이 및 몰딩, 오른쪽 기판
      - 도금 기둥
      - L형성
5. 2008년
  1. 2008.04 제조 삼성 SPH-W4700 슬라이드 피처폰
    1. ANADIGICS, AWT6279R, InGaP HBT(hetero-junction bipolar transistor) MMIC, Linear Power Amplifier Module, - 8p
      - 가열하여 강제로 뜯어냄. solder splash 가 보임. 발연질산에 PA칩이 모두 녹아 없어짐.
  2. 2007.10 출시 LG-SH170 슬라이드 피처폰
    1. SKY77318-12 800~1900M Amplifier
      1. 외관
      2. 질산에 넣어서, 유일하게 관찰되는 전체 면적의 5% 미만인 IC. 나머지는 모두 수동부품을 납땜함
        
        SKYWORKS
        
        2003 31500
    2. WS2512G Avago 2100 Amplifier? (잃어버려 더 이상 분석못함)
  3. 2008.04 출시 Motorola Z8m 슬라이드 피처폰
    - Qualcomm MSM6280 3G chip, Toshiba TYB000BC00AFHP flash, Qualcomm RTR6275 WCDMA Tx, GSM/GPRS/EDGE tranceiver IC, TriQuint 676001 2GHz PAM, Cypress CY7C680 USB IC
    - Qualcomm PM6650 PMIC, Qualcomm RFR6275 WCDMA receiver IC, Triquint 7M5008 Quad-band GSM PAM
6. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D
  - Skyworks 77155 PCS/WCDMA용(1750~1780/1710~1785MHz) PAM
  - Avago WS1102 824~849MHz CDMA/AMPS PAM, Avago ACPM-7821, 898~925MHz J-CDMA PAM
7. 2009.12 출시 삼성 SPH-M8400 옴니아2 스마트폰
  1. 2.3~2.4GHz WiBro/WiMAX용 PAM
    - 와이팜(WiPAM) WIP4235B
  2. 셀룰라 RF 파트
    1. 사진
    2. 설명
      1. Skyworks SKY77186, WCDMA/HSDPA Band1(1920~1980MHz)용 PAM, 3.0x3.0mm
      2. TriQuint 7M5012H, GSM 및 DCS/PCS용 PAM, 5.0x5.0mm
        
        플립본딩 다이 3개(상하에 앰프 다이 두 개가 있고, 중간에 제어칩이 있는 듯)
8. 2010.07 출시 삼성 GT-B7722 피처폰
  1. SKY77346
    1. 마스터 RF영역에서
      - 납땜된 상태로 메인 PCB를 가위로 잘라서 발연질산에 넣어두면
      - 방열을 위한 비아 8개가 보인다.
      - glass fiber가 있다.
    2. 슬레이브 RF영역에서
      1. 핸드폰 메인보드에서 솔더링 패드 동박 설계
      2. PAM에서 PCB 솔더링 패드 동박 설계
      3. 내부
9. 2010.08 출시, 팬택, SKY 골드루키 IM-U660K 피처폰
  1. 사진
  2. 왼쪽부터
    1. Epcos 9414, 1.4x1.1mm, WCDMA Band1 Tx(1950MHz) SAW-핸드폰RF
    2. Avago ACPM-5201 3.0x3.0mm UMTS Band1(1920~1980MHz) PAM
    3. Avago TFIO 2419 3.0x2.5mm FBAR DPX
    4. Skyworks SKY77544-11 PAM (Rx 4포트, WCDMA 3포트, HB amp 1포트, LB amp 1포트, 안테나 1포트)
10. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
  1. TriQuint 7M5012H, 2채널(GSM(850/900) 및 DCS/PCS)
  2. Anadigics AWU6601, WCDMA Band1 (1920~1980MHz)
    - 와이어본딩을 한다. 좌측 아래에 회사 로고(A와 D를 겹친형태)가 있다.
11. 2013년
  1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
    1. Murata;무라타 WiFi모듈에서
      1. 표면을 깍아보면
        
        Broadcom BCM43342, WIFI/BT/NFC/FM
      2. RF IC #2 - PAM(?) - 발연질산에 오래 넣어두니 다이가 모두 녹아 없어졌다. 그러므로 GaAs 웨이퍼인듯
        
        두 다이 두께가 다르다.
    2. Avago A7900, dual PAM
      - 우측
    3. Skyworks 77355, dual PAM
12. 2014
  1. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
    1. PAM, Avago ACPM-7700, Multiband Multimode, Quad-Band GSM/EDGE and Multi Mode B1/B2/B3(B4)/B5/B8
      - 와이어본딩된 다이 4개
    2. #7 PAM
      - 솔더댐
13. 2016년
  1. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
    - Murata;무라타 회사에서 제조
    - 솔더링 패턴 동박 설계
    - 다이 4개 사용
14. 2017년
  1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서
    1. Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
    2. Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
  2. 2017.06 출시 삼성 갤럭시 폴더2 SM-G160N 스마트폰
    1. Skyworks 77649-11 PAM
15. 2018년
  1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
    1. 뒷면에 PAM, Qorvo QM56020
      - 사진에서 왼쪽에 8N6로 마킹된 RF360 회사의 SAW 필터(PCB 기판 사용)가 보인다.
      - 실리콘 다이 7개가 보인다.
      - 납땜 패드
      - 내부
    2. PAM, Qorvo RF5212A
      - RF5212A
      - BGA IC 3개, MLCC 1개, 앰프Tr 패턴에는 방열을 위해 솔더볼이 집중된다.
16. 2020년
  1. 2020 삼성 갤럭시 A51 SM-A516N 휴대폰에서
    1. Qorvo QPA4580 PAM, 실드코팅으로 차폐시켰다.
      1. 외관
      2. 측면 관찰하면
        
        처마처럼 튀어나왔다.
        
        노랑 화살표에 잘린 PCB 동박이 보인다.
      3. 측면 금속 코팅을 칼로 긁어보니
      4. 타이바. 타이바가 반드시 있어야 하므로, 이왕이면 전기도금을 하면 좋을 것이다.
        
        절단된 PCB에서 구리 타이바가 노출되어 있다.
      5. 꼭지점을 칼로 절단한 후
        
        윗쪽과 아래쪽의 금속코팅 두께에 큰 차이가 없다.
      6. 내부
        
        내부, 와이어본딩 된 PA 다이가 2개 있다.
    2. Skyworks 77786-11 2.3GHz~2.7GHz multimode multiband(MMMB), single high band LTE block, PAM
      1. 3x3mm, 분해하면 IC 다이가 두 개 있다.
      2. PA용 Indium gallium phosphide(InGaP) 다이
        
        PK5226 01 SKYWORKS C M 2016
      3. MIPI 콘트롤러 silicon 다이
        
        PK1136 01 SKYWORKS C M 2016