"Redmi Note 4X"의 두 판 사이의 차이

 
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<li>기술자료
 
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<li> https://en.wikipedia.org/wiki/Redmi_Note_4
 
<li>출시년도: 2017년 2월
 
<li>출시년도: 2017년 2월
 
<li>사용 네트워크
 
<li>사용 네트워크
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<li>Triquint [[SMR]]-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
 
<li>Triquint [[SMR]]-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
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<li>외관
 
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image:redmi_note4x_094.jpg | 금색 뚜껑 제품 1.5x1.3mm 추정
 
image:redmi_note4x_094.jpg | 금색 뚜껑 제품 1.5x1.3mm 추정
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<li>주파수 특성
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<li>온도 특성 실험
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image:redmi_note4x_094_001_001.jpg | 허공에 띄워서
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image:redmi_note4x_094_001_002.png | 이 때 측정되는 그래프(peak 추적을 하면서)
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image:redmi_note4x_094_001_003.jpg | Pt100오옴 센서를 근처로
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<li>주파수 온도 특성, 엑셀 데이터
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image:redmi_note4x_094_001_004.png | 백금온도센서 저항값은 에어콘 가동에 잡음이 유도된다.(?)
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image:redmi_note4x_094_001_005.png | 백금온도센서와 필터는 같은 속도로 반응한다.
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image:redmi_note4x_094_001_006.png | -20ppm/'C로 계산된다.
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<li>밤새 주파수 온도 특성
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image:redmi_note4x_094_001_007.png | 17시간 사무실 온도변화
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image:redmi_note4x_094_001_008.png | 온도와 주파수변화 - 주파수는 +드리프트가 생긴다.
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image:redmi_note4x_094_001_009.png | 12시간동안 +30ppm 드리프트가 생긴다. (납땜 스트레스?)
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<li>[[냉매]] 및 열풍기로 온도 특성
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image:redmi_note4x_094_001_010.jpg | 냉매로 얼리면
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image:redmi_note4x_094_001_011.png | 시간에 따른 온도 및 주파수
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image:redmi_note4x_094_001_012.png | 온도에 따른 주파수변화. 얼린 후 온도가 올라가면 물방울이 생겨 주파수특성에 영향을 준다.
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<li>Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) [[SAW-핸드폰RF]] 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
 
<li>Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) [[SAW-핸드폰RF]] 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
 
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image:redmi_note4x_105.jpg
 
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<li>PMIC, MEDIATEK MT6351V
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<li>3.2x1.5mm PMIC용 [[Xtal세라믹]]
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image:redmi_note4x_199.jpg | 코바링없는 진공에서 다이렉트 실링, 오른쪽 흰점은 인쇄 마킹
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<li>PMIC 주변에 있는 7개의 검정칠한 파워[[인덕터]]
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image:redmi_note4x_194.jpg
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image:redmi_note4x_195.jpg | 노랑 화살표 밑에 PMIC가 있다.
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image:redmi_note4x_196.jpg | 노랑 화살표, 인덕터 표면을 칼로 긁으니 페인트가 벗겨진다.
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image:redmi_note4x_197.jpg | 검정 페인트를 윗면에만 칠했다.
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image:redmi_note4x_198.jpg | 부품이 두꺼워 금속 깡통에 닿기 때문에 칠한다고 하는데, 왼쪽 MLCC가 더 두껍다.
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<li>의견
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<li>인덕터는 비아홀 뚫는다. 그러므로 밑면 전극만 형성시킬 수 있다. 밑면 전극만 사용하면 측면 및 위로 전극이 없다.
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<li>튀어나온 전극이 없기 때문에 더 얇게 만들 수 있다.(측면 전극 제품과 동일 두께라면 밑면 전극 제품은 페라이트를 더 두껍게 만들어 성능을 향상시킬 수 있다는 뜻이다.)
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<li>밑면 전극은 스크린 인쇄해야 한다. 이 인쇄 공법이 없거나 힘들면 어쩔 수 없이 측면 전극을 형성한다.
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<li>이런 측면 전극을 만드는 업체에서는 고객 요청으로 절연 페인트 칠을 한다.
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<li>반면에 MLCC업체에서는 전혀 하지 않는다.(??????)
 
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image:redmi_note4x_121.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
 
image:redmi_note4x_121.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
 
image:redmi_note4x_122.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
 
image:redmi_note4x_122.jpg | TCXO 전체를 shield can으로 감쌌다.
image:redmi_note4x_123.jpg
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image:redmi_note4x_123.jpg | 약 2.0x1.6mm 크기
 
image:redmi_note4x_124.jpg
 
image:redmi_note4x_124.jpg
 
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image:redmi_note4x_145.jpg
 
image:redmi_note4x_145.jpg
 
image:redmi_note4x_146.jpg | 레이저 드릴로 EMC 제거함. 참고 [[천공]]
 
image:redmi_note4x_146.jpg | 레이저 드릴로 EMC 제거함. 참고 [[천공]]
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<li>AP 다이분석
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image:redmi_note4x_143_001.jpg | 기판 가장자리 여백에 동박패드 형성후, EMC 몰딩 후 레이저 드릴링해서 솔더 연결했다.
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image:redmi_note4x_143_002.jpg | 휘어 있다(?) RDL 전극 및 PI가 두꺼워서(?)
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image:redmi_note4x_143_003.jpg | 17JUL2015 MEDIATEK, 날짜 마킹은 처음봤다.
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<li> [[임베디드PCB]]
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image:redmi_note4x_143_004.jpg | 사용 기판은 embedded PCB 이다.
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image:redmi_note4x_143_005.jpg | 구리 도금 비아홀로 직접 연결되어 있다. 그래서 떨어지지 않았다.
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image:redmi_note4x_143_008.jpg
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image:redmi_note4x_143_009.jpg | MLCC가 부착된 기판층 뒤쪽에서
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image:redmi_note4x_143_006.jpg | 캐비티 포켓
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<li>[[MLCC]] 분석
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image:redmi_note4x_143_007.jpg | 1.0x0.5mm, 구리전극, 비아홀 도금으로 연결됨. ~400pF @1kHz
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image:redmi_note4x_143_010.jpg | 두께 80um, 위아래 더미 15um, 적층 50um 두께, 25층 전극, 층간 2um
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image:redmi_note4x_143_011.jpg
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image:redmi_note4x_143_012.png | 내부전극 및 외부전극 바렐도금을 위한 seed metal 형성 방법 그림.
 
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<li>[[가속도센서]], [[자이로센서]](각속도센서), BOSCH, BMI160
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<li> - 21p
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<li>패키지 분해
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image:redmi_note4x_200.jpg | 높은 IC를 찾아 표면을 긁어서 찾음.
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image:redmi_note4x_201.jpg | 유기물 PCB에 다이본딩
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<li>다이 분해
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image:redmi_note4x_202.jpg
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<li>readout IC ID
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image:redmi_note4x_203.jpg | BOSCH BAI160C C2014
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<li>3축 Gyroscope MEMS [[자이로센서]]
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image:redmi_note4x_204.jpg
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image:redmi_note4x_205.jpg
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image:redmi_note4x_206.jpg
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image:redmi_note4x_207.jpg
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image:redmi_note4x_208.jpg | 직각사각형 movable plate를 static plate가 마주보고(면적을 넓게) 있다.
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<li>3축 Accelerometer MEMS [[가속도센서]]
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image:redmi_note4x_209.jpg
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image:redmi_note4x_210.jpg
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image:redmi_note4x_211.jpg
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image:redmi_note4x_212.jpg
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image:redmi_note4x_213.jpg | 주기 6.0um
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image:redmi_note4x_214.jpg
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image:redmi_note4x_215.jpg | 주기 6.0um
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<li>위 모서리에 [[리모트콘트롤]]용 [[IR통신]]용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
 
<li>위 모서리에 [[리모트콘트롤]]용 [[IR통신]]용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
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image:redmi_note4x_137.jpg | 매우 얇은 금도금
 
image:redmi_note4x_137.jpg | 매우 얇은 금도금
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image:redmi_note4x_137_001.jpg | [[SIM]] tray, Dual SIM(Micro-SIM/Nano-SIM)+Micro SDXC
 
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<li>리시버 [[스피커]]
 
<li>리시버 [[스피커]]
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image:redmi_note4x_186.jpg
 
image:redmi_note4x_186.jpg
 
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2020년 8월 1일 (토) 15:27 기준 최신판

Xiaomi, Redmi Note 4X

  1. 링크
    1. 전자부품
      1. 핸드폰
        1. Xiaomi Redmi Note 4X 휴대폰 - 이 페이지
  2. 기술자료
    1. 외부 링크
      1. https://en.wikipedia.org/wiki/Redmi_Note_4
      2. 출시년도: 2017년 2월
      3. 사용 네트워크
        1. 2G GSM 850/900/1800/1900, CDMA800 & TD-SCDMA
        2. 3G HSDPA 850/900/1900/2100
        3. 4G 1, 3, 5, 7, 8, 38, 39, 40, 41 - Mediatek model, 아래 밴드에서 폰 기준으로 Tx, Rx
          1. B1: 2100, 1920~1980(1950), 2110~2170(2140)
          2. B2: 1900, 1850~1910(1880), 1930~1990(1960) - 이 밴드 듀플렉서가 있다.
          3. B3: 1800, 1710~1785(1747.5), 1805~1880(1842.5)
          4. B5: 850, 824~849(836.5), 869~894(881.5)
          5. B7: 2600, 2500~2570(2535), 2620~2690(2655)
          6. B8: 900, 880~915(897.5), 925~960(942.5)
          7. B38: 2600, TDD 2570~2620(2595) TY SAW 필터 발견
          8. B39: 1900, TDD 1880~1920(1900)
          9. B40: 2300, TDD 2300~2400(2350) Triquint BAW 필터 발견
          10. B41: 2500, TDD 2496~2690(2593)
    2. 외관
    3. finger ring stand용 조이개
    4. 분해시작
    5. 안테나
      1. 다이버시티 안테나인지, 아니면 하단은 저주파 1GHz, 상단은 2GHz 전용인지 정확하지 않음.
      2. 상단
      3. 하단
      4. 하단 안테나 매칭
      5. LDS(Laser Direct Structuring)에 사용된 플라스틱 도금 기술
      6. 메탈 케이스를 피해서 설치된, 위 아래 안테나 위치
    6. 지문 센서
      1. 위치
      2. PCB
      3. 표면에 열풍을 가하면
      4. 다이
      5. 동작원리
    7. 안테나 접지면 기준이 되는 후면 메탈 커버
    8. 마이크로 스피커
      1. 위치하는 곳(휴대폰 밑이다.) 및 외형
      2. 스피커 박스를 뜯으면
      3. 백볼륨 속의 스폰지
    9. 메인 마이크
      1. 메인 마이크와 맨 아래 버튼 스위치용 백라이트 LED 연결
      2. 메인 MEMS마이크, XN7A7 7722 3014
      3. C embedded PCB 분석, PCB C
    10. 귀쪽에 위치한, 소음 제거용 MEMS마이크
      1. 외형
      2. 패키지 분해
      3. 프레임 구조
      4. PCB C
      5. MEMS 진동판 - 메인 마이크에 사용된 MEMS 진동판과 같다.
    11. 메인보드 방열 및 차폐
    12. 카메라
      1. 후면 메인 카메라용 Dual-tone LED flash
        1. 기술
          1. 기존 단일 LED 플래시로 사진을 찍으면 부자연스럽고 차가운 톤으로 사진이 찍힌다.
          2. 서로 다른 색온도를 갖는 두 LED를 사용해서 색상 균형을 쉽게 맞출 수 있다.
          3. 2013년 9월 iPhone 5S에서 처음으로 등장. 흰색white과 호박색amber 사용함.
          4. 주변광의 화이트밸런스를 판단하여 플래시 색상을 조정한다.(맞나?)
        2. Dual-tone LED-SMD
        3. 형광체를 뜯어내면
        4. 켜보면
        5. LED 다이를 뜯으면
      2. 후면 메인 카메라 - 핸드폰용 이미지센서
        1. 위치
        2. 카메라 뒷면 방열판
        3. 외관
        4. VCM 분해
        5. IR컷 필터 분해
        6. 이미지 센서
        7. red dot pitch 약 2.2um, 파랑 점에 결점이 있다. phase detect auto focus(PDAF)를 위한 센서 픽셀. 한 축으로만 배열되어 예를 들면 수평 자동초점을 맞춘다. 센서 전영역에 걸쳐 형성되어 있으면 전영역에 자동초점을 맞출 수 있다.
        8. S5K3L8 삼성전자제조, 4208x3120(13M), 1.12um, 1/3.1", pixel type:ISOCELL, PDAF auto focus
      3. 전면 보조 카메라
    13. 적외선 근접센서(IR proximity sensors) 및 조도센서(Ambient Light Sensor)
      1. 사진
      2. 외관
      3. 분해
      4. 인터포저(interposer)
    14. 메인 PCB에서 방열
    15. 하단 안테나에서 온 동축케이블과 연결된, 안테나 RF스위치IC. TDD용 PAM과 W-CDMA PAM을 따로 스위칭하기 위해서(?)
      1. 외관
      2. 다이 분석
    16. Skyworks 77645-11, multimode multiband(MMMB) PAM, TDD용 전용. 7개 듀플렉서를 사용하는 W-CDMA용 PAM은 따로 존재한다.
      1. 부근 부품
      2. Triquint SMR-[BAW]] 필터, 80C 마킹, LTE Band 40(2350MHz, TDD)용이다. TDD이므로 Rx/Tx 신호가 시간차이를 두고 지나간다.
        1. 외관
        2. 주파수 특성
        3. 온도 특성 실험
        4. 주파수 온도 특성, 엑셀 데이터
        5. 밤새 주파수 온도 특성
        6. 냉매 및 열풍기로 온도 특성
      3. Taiyo-Yuden(다이요유덴;태양유전) SAW-핸드폰RF 필터, LAFy 마킹, LTE Band 38(2595MHz, TDD)용이다.
        1. 외관, 1.4x1.1mm 로 추정
        2. 특성 그래프
        3. 내부
    17. Skyworks 77912-51, W-CDMA용 PAM (LTE B7,38,41,40,AXGP 등 2300~2690MHz)
    18. Mediatek MT6631N, WiFi abgn+ac, BT4.1, GPS, FM 칩
      1. 사진
      2. 세라믹필터 기술로 만든 triplexer 측정
      3. 무라타 GPS용 쏘필터는 분석하지 않음.
      4. 83C 227 마킹, Triquint WiFi/BT용 SMR-[BAW]] 필터. 1.5x1.3mm 실측크기
        1. 주파수 특성
        2. 패키징
    19. PMIC, MEDIATEK MT6351V
      1. 3.2x1.5mm PMIC용 Xtal세라믹
      2. PMIC 주변에 있는 7개의 검정칠한 파워인덕터
      3. 의견
        1. 인덕터는 비아홀 뚫는다. 그러므로 밑면 전극만 형성시킬 수 있다. 밑면 전극만 사용하면 측면 및 위로 전극이 없다.
        2. 튀어나온 전극이 없기 때문에 더 얇게 만들 수 있다.(측면 전극 제품과 동일 두께라면 밑면 전극 제품은 페라이트를 더 두껍게 만들어 성능을 향상시킬 수 있다는 뜻이다.)
        3. 밑면 전극은 스크린 인쇄해야 한다. 이 인쇄 공법이 없거나 힘들면 어쩔 수 없이 측면 전극을 형성한다.
        4. 이런 측면 전극을 만드는 업체에서는 고객 요청으로 절연 페인트 칠을 한다.
        5. 반면에 MLCC업체에서는 전혀 하지 않는다.(??????)
    20. TCXO GPS 칩용
    21. 메인 보드 뒷면
    22. 모바일AP + RAM PoP(Package On Package)
      1. 윗면에는 Micron 회사의 RAM 이다.
      2. PoP(Package On Package)
      3. 두 패키지를 분리하면
      4. AP 패키지 표면을 레이저 드릴로 EMC를 제거하여 솔더패트를 노출시켰다.
      5. AP 다이분석
      6. 임베디드PCB
      7. MLCC 분석
    23. AP 전원용 L-C-L(Tee타입) LC필터, 4개 직렬로 연결
    24. SanDisk SDINADF4-64G, iNAND 7232, 64GB embedded Flash Memory drive, 14nm
      1. 외관
      2. 다이 4개 적층 + 메모리 콘트롤러
      3. 적층다이를 와이어본딩으로 연결
      4. 다이 표면
    25. RF transceiver IC 구역
      1. Mediatek MT6176V transceiver RF IC
      2. Rx 다이버시티
        1. Rx 다이버시티용 스위치
        2. SAW-핸드폰RF 8개 1.1x0.9mm
        3. 노랑점선: 안테나, 쏘필터 그리고 이들 사이 매칭영역, 주황점선: 모듈과 트랜시버IC 사이의 매칭영역
        4. 필터 8개 주파수특성 측정을 위해 간이 연결
        5. 필터 8개 주파수특성 엑셀 데이터
        6. 필터 8개 주파수특성 그래프
        7. #7번 필터, 2017년 8월, China 제조
      3. 듀플렉서 1.8x1.4mm 7개, 무라타1, 트라이퀸트1, Taiyo Yuden 5개
        1. 전체
        2. Taiyo Yuden 5개 SAW-핸드폰DPX
          1. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
          2. 측면
          3. 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
            1. 주파수 파형
            2. Tx필터 FBAR 온도 특성 실험-1
              1. 치구 준비
              2. 가열 냄비 준비
              3. Fluorinert 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
              4. 실험 방법
              5. 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
              6. 엑셀 데이터
            3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
              1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
              2. 그래프
              3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
            4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
              1. SAW + BAW 조합이다.
              2. F-BAR baw 필터
              3. 공진기 #1~#6
              4. Rx saw 필터
          4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
            1. 주파수 파형
            2. 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
            3. 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
            4. 다이를 뜯어냄
            5. Rx
            6. Tx:1880MHz
              1. 전체
              2. withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
              3. 90도로 배열된 C패턴
          5. 7A4, LTE Band1
            1. 주파수 파형
            2. 전체
            3. Rx
            4. Tx
          6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
            1. 주파수 파형
            2. 다이 내부
          7. 7E4, LTE Band5
            1. 주파수 파형
            2. 다이 내부
        3. Murata SAW-핸드폰DPX, 마킹 CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
          1. 외관
          2. 패키징
          3. 다이
        4. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 듀플렉서
          1. 외관
          2. 유기물 PCB
          3. 다이 분리
          4. 두 다이
          5. 빈공간을 유지하는, 벽과 지붕
          6. 본딩 패드와 검사용 패드
          7. 발연질산에 넣어서
    26. 가속도센서, 자이로센서(각속도센서), BOSCH, BMI160
      1. - 21p
      2. 패키지 분해
      3. 다이 분해
      4. readout IC ID
      5. 3축 Gyroscope MEMS 자이로센서
      6. 3축 Accelerometer MEMS 가속도센서
    27. 위 모서리에 리모트콘트롤IR통신용 LED (앞에 검정 플라스틱 창이 있다.)
    28. 전면 상단에 3색 LED-모듈
    29. 진동모터
    30. 플라스틱 보호 커버(뭔가 누르기 위해 존재?)
    31. 카드접점
    32. 리시버 스피커
    33. 디스플레이 파트
      1. 강화유리(+LCD)와 anodized aluminum mid-frame과 분리
      2. anodized aluminum mid-frame에서 방열용 검정색 테이프 필름 두 가지
      3. anodized aluminum 금속 mid-frame과 플라스틱 동시 사출 구조
      4. 강화유리와 능동LCD 패널 뜯기, 강화유리만 깨끗하게 뜯어내는 것에 실패
      5. LCD용 LED-SMD 백라이트
    34. 파우치 2차-리튬 배터리
      1. 세트에서
      2. 외관
      3. 배터리 보호 회로
      4. 양면 F-PCB와 더미 Rigid-PCB 접합한 유기물기판 (휨강도와 FET스위치 열방출?)
      5. 전류검출용R 저저항
      6. FET 스위치,
      7. P-PTC, 고전류를 위해 두 개 병렬로 쌓아 만들었다.