"SAW-핸드폰DPX"의 두 판 사이의 차이
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<li> [[SAW대문]] | <li> [[SAW대문]] | ||
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<li> [[SAW-핸드폰DPX]] - 이 페이지 | <li> [[SAW-핸드폰DPX]] - 이 페이지 | ||
− | <li> | + | <li>참고 |
− | <li> [[ | + | <ol> |
− | <li> [[ | + | <li> [[FEMiD]] |
− | <li> [[ | + | <li> [[PAM]] |
+ | <li> [[PAMiD]] | ||
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<li>필터 두 개로 듀플렉서를 만듬 | <li>필터 두 개로 듀플렉서를 만듬 | ||
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+ | </ol> | ||
+ | <li>9.5x7.5mm | ||
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<li>3.0x3.0mm 필터를 사용함. | <li>3.0x3.0mm 필터를 사용함. | ||
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+ | <li>삼성전기, 개발품(?) | ||
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+ | <li>이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:saw_dpx9575_03_001.jpg | ||
+ | image:saw_dpx9575_03_002.png | ||
+ | </gallery> | ||
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− | <li> | + | <li>후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>제품규격서 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li> - 12p |
+ | <li> - 15p | ||
+ | </ol> | ||
<li> [[StarTAC]] 휴대폰에서 | <li> [[StarTAC]] 휴대폰에서 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
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<li>삼성전기 X836KP - 2001년 제품 | <li>삼성전기 X836KP - 2001년 제품 | ||
<ol> | <ol> | ||
+ | <li>어떤 측정치구 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:saw_dpx9575_00_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
<li>자재 및 공정 | <li>자재 및 공정 | ||
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</ol> | </ol> | ||
− | <li> | + | <li> |
+ | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm | image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm | ||
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<li>Fujitsu | <li>Fujitsu | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> [[싸이버뱅크 CP-X310]] | + | <li>제품규격서 |
+ | <ol> | ||
+ | <li> - 9p | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>2005.05 제조 [[싸이버뱅크 CP-X310]] PDA폰 | ||
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image:cp_x310_028_001.jpg | image:cp_x310_028_001.jpg | ||
− | image:cp_x310_029.jpg | | + | image:cp_x310_029.jpg | M5 마킹 |
</gallery> | </gallery> | ||
<li> [[LG-SD1250]] 2003년 3월 제조된 [[핸드폰]]에서 | <li> [[LG-SD1250]] 2003년 3월 제조된 [[핸드폰]]에서 | ||
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<li>3.8x3.8mm | <li>3.8x3.8mm | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li>삼성전기 LTCC, 캐비티 패키지, KYH | + | <li>삼성전기 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>LTCC, 캐비티 패키지, KYH | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:saw_dpx3838_01_001.jpg | + | image:saw_dpx3838_01_001.jpg | 이 상태로 존재함 |
image:saw_dpx3838_01_002.jpg | image:saw_dpx3838_01_002.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | <li>팬택 & 큐리텔 [[PT-L2200]] 피처폰에서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:pt_l2200_013.jpg | FCI 7214 [[PAM]] -> 무라타 [[아이솔레이터]] -> DPX | ||
+ | image:pt_l2200_014.jpg | ||
+ | image:pt_l2200_015.jpg | LTCC 6층 적층 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>뚜껑을 벗기고 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:pt_l2200_016.jpg | ||
+ | image:pt_l2200_017.jpg | 빨강화살표 전극 - 괜히 넣었다. isolation 특성을 저해한다. 파랑화살표 본딩 - Rx와 Tx를 연결하는 와이어를 공통으로 찍었기 때문에 isolation 특성을 저해한다. | ||
+ | image:pt_l2200_018.jpg | XG65KC4, KYH 씨 설계로 추정 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>불에 태우면 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:pt_l2200_018_001.jpg | ||
+ | image:pt_l2200_018_002.jpg | ||
+ | image:pt_l2200_018_003.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상 | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Fujitsu | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>FAR-D5CF-881M50-D1F1 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 [[IM-U110]] 피처폰 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:im_u110_018.jpg | ||
+ | image:im_u110_018_001.jpg | [[LTCC 제품]] 패키지 위에 가장자리에만 AuSn[[솔더]]가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>뚜껑(lid)을 벗기면 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:im_u110_018_002.jpg | [[Al 웨지 와이어본딩]] | ||
+ | image:im_u110_018_003.jpg | 패키지 4코너에 접지용 비아가 있다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 관찰 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:im_u110_018_004.jpg | Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩 | ||
+ | image:im_u110_018_005.jpg | 유기물 오염 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[EMI]] 차폐를 강화시킨 밑면 [[접지]] 패턴 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:im_u110_018_006.jpg | ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다. | ||
+ | image:im_u110_018_007.jpg | 갈아낸 후 전극 모양 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 [[SAW필터에서 초전성]] 때문에 쉽게 녹는다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:im_u110_018_008.jpg | ||
+ | image:im_u110_018_009.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic) | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>데이타시트 | ||
+ | <li>2006.10 출시 삼성 월드로밍 [[SCH-V920]] 슬라이드 피처폰 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>기술정보 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>내부 패턴을 보면 Epcos 설계와 매우 유사 | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>CDMA, Fc=836.5/881.5MHz, 모델명 EFSD836Mxx | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_v920_025.jpg | ||
+ | image:sch_v920_025_001.jpg | ||
+ | image:sch_v920_025_002.jpg | ||
+ | image:sch_v920_025_003.jpg | D83FL 88 HR | ||
+ | image:sch_v920_025_004.jpg | ||
+ | image:sch_v920_025_005.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>J-CDMA, fc=856.5/911.5MHz, 모델명 EFSD911MD1 또는 EFSD911MD2 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_v920_026.jpg | ||
+ | image:sch_v920_026_001.jpg | ||
+ | image:sch_v920_026_002.jpg | ||
+ | image:sch_v920_026_003.jpg | A8590G12P | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 [[canU701D]]에서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:canu701d_011.jpg | Qualcomm RFT6100 Tx IC, FCI 7214 PAM, Matsushita EFSD1765D2S3 SAW DPX, FCI 7510 LNA, Qualcomm RFR6000 Rx IC | ||
+ | image:canu701d_012.jpg | ||
+ | image:canu701d_013.jpg | EFSD1765D2S3, Matsushita Electronic Components Co., Ltd.(Osaka) LCR Device Company, Ceramic Business Unit, 2003년 규격서에서 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>측정 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:canu701d_024.jpg | ||
+ | image:canu701d_025.png | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:canu701d_026.jpg | ||
+ | image:canu701d_027.jpg | ||
+ | image:canu701d_028.png | 약 130도씨 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>납땜 단자 고착 강도 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:canu701d_029.jpg | 땜납이 떨어진다. LTCC 전극 고착강도가 무척 높다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:canu701d_030.jpg | AuSn 리드를 칼로 뜯어낸 후 | ||
+ | image:canu701d_031.jpg | 리버스(칩을 2nd 본딩), 알루미늄 웨지 와이어본딩 | ||
+ | image:canu701d_032.jpg | 모든 IDT가 C 직렬연결 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:canu701d_033.jpg | 우물 자국은 이물질이 폭발한 듯 | ||
+ | image:canu701d_034.jpg | 단단한 전극인듯, 산화물 보호막이 있는 듯 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
<li>SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz | <li>SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>규격서 - 6p | <li>규격서 - 6p | ||
− | <li> | + | <li> [[SAW-핸드폰DPX]] |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:ms500_01_026.jpg | + | image:ms500_01_026.jpg | [[안테나]]와 DPX와의 경로 중간에 [[안테나 커넥터 스위치]]가 있다. |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>주파수 특성 | <li>주파수 특성 | ||
182번째 줄: | 326번째 줄: | ||
image:ms500_01_027_005.png | Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec | image:ms500_01_027_005.png | Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>뚜껑 열기 | + | <li>뚜껑 열기(delidding) |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:ms500_01_028.jpg | | + | image:ms500_01_028.jpg | [[Au 볼 와이어본딩]]에서 와이어가 [[직선 도선 인덕터]]로 동작한다. |
− | image:ms500_01_029.jpg | 두 패턴 | + | image:ms500_01_029.jpg | 왼쪽과 오른쪽 두 패턴 사이를 [[차폐]]하기 위한 Y자 접지 패턴이 이채롭다. |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>패턴 | <li>패턴 | ||
199번째 줄: | 343번째 줄: | ||
<li>3.2x2.5mm | <li>3.2x2.5mm | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 | + | <li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm [[LTCC 기판]] 캐비티 구리전극, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> [[LG-SH170]] | + | <li>2008년 1월 제조된 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰 |
<ol> | <ol> | ||
<li>리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻) | <li>리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻) | ||
216번째 줄: | 360번째 줄: | ||
image:sh170_058.jpg | 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다. | image:sh170_058.jpg | 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다. | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>다이 패턴 |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:sh170_059.jpg | + | image:sh170_059.jpg | W734-A1 |
image:sh170_060.jpg | image:sh170_060.jpg | ||
image:sh170_061.jpg | image:sh170_061.jpg | ||
image:sh170_062.jpg | 융착온도 때문에 금속 확산 | image:sh170_062.jpg | 융착온도 때문에 금속 확산 | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li>어떤 칩 다이싱 단면 | + | <li>어떤 칩 [[다이싱]] 단면 |
<gallery> | <gallery> | ||
image:sh170_063.jpg | 한쪽면 | image:sh170_063.jpg | 한쪽면 | ||
230번째 줄: | 374번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li> [[SPH-W4700]] | + | <li>2008.04 제조 삼성 [[SPH-W4700]] 슬라이드 피처폰 |
<ol> | <ol> | ||
<li>외관 | <li>외관 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:w4700_020.jpg | image:w4700_020.jpg | ||
− | image:w4700_021.jpg | + | image:w4700_021.jpg | Au-Sn [[솔더]]로 리드 실링 |
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li> [[플립본딩]] |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:w4700_022.jpg | 검정색 | + | image:w4700_022.jpg | 검정색 다이, 다이 중앙에 이젝트핀 자국 |
image:w4700_023.jpg | image:w4700_023.jpg | ||
− | image:w4700_024.jpg | LTCC | + | image:w4700_024.jpg | [[LTCC 기판]]은 구리전극에 캐비티 형태 |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임 | <li>칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:w4700_025.jpg | W734-A1 | + | image:w4700_025.jpg | W734-A1, 가중 weighting 전극 |
</gallery> | </gallery> | ||
<li>칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임 | <li>칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image:w4700_026.jpg | + | image:w4700_026.jpg | 가중 weighting 전극 |
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
256번째 줄: | 400번째 줄: | ||
<li>3.0x2.5mm | <li>3.0x2.5mm | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li>밸러스 Rx, SJB | + | <li>엡코스 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>두 개 제품 외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_b8850d_019.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>위 사진에서 왼쪽에 있는 7662 마킹, 1765/1855MHz Korea PCS용 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_b8850d_019_7662_001.jpg | ||
+ | image:sch_b8850d_019_7662_002.jpg | 주기 2.17um 1855MHz라면 4025m/sec | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>오른쪽에 있는 A21 마킹, 836.5/881.5MHz용 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>다이 패턴 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_b8850d_019_a21_001.jpg | 위치 1,2,3 | ||
+ | image:sch_b8850d_019_a21_002.jpg | 위치 1 주기 4.38um 881MHz라면 3860m/sec | ||
+ | image:sch_b8850d_019_a21_003.jpg | 위치 2 주기 4.63um | ||
+ | image:sch_b8850d_019_a21_004.jpg | 위치 3 주기 4.825um 836MHz라면 4030m/sec | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 뒷면을 빨갛게 가열한 후 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_b8850d_019_a21_005.jpg | ||
+ | image:sch_b8850d_019_a21_006.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>후지쯔 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>제품규격서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li> - 11p | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>밸러스 Rx, SJB(송진백) | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:saw_dpx3025_01_001.jpg | image:saw_dpx3025_01_001.jpg | ||
263번째 줄: | 444번째 줄: | ||
<li>2.5x2.0mm | <li>2.5x2.0mm | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>와이솔 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>2010/10 삼성 [[GT-B6520]] 휴대폰에서 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>위치 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
image:gt_b6520_012.jpg | SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치 | image:gt_b6520_012.jpg | SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치 | ||
− | image:gt_b6520_016.jpg | | + | </gallery> |
+ | <li>2번 [[SAW-핸드폰DPX]] 2.5x2.0mm, 와이솔 제품 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:gt_b6520_016.jpg | 칩 두께가 서로 다르다. | ||
image:gt_b6520_016_001.jpg | XG50PD5-MP6 Rx HJD | image:gt_b6520_016_001.jpg | XG50PD5-MP6 Rx HJD | ||
image:gt_b6520_016_002.jpg | XG50PD5-MP? Tx HJD | image:gt_b6520_016_002.jpg | XG50PD5-MP? Tx HJD | ||
</gallery> | </gallery> | ||
+ | <li>3번 [[SAW-핸드폰DPX]] 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:gt_b6520_017.jpg | 칩 두께가 서로 다르다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Epcos | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2011.02 출시 삼성 와이즈 [[SHW-A240S]] 폴더 피처폰 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>W-CDMA Band1(1950/2140MHz), Epcos 제조, 모델명 B7696(B39212B7696M810) | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shw_a240s_013.jpg | 왼쪽에 있는 모자형태 패키지. 가장자리에 접지 비아가 많다. 18+14+4=36개 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>은전극을 사용한 [[LTCC 제품]]으로, 솔더 [[플립본딩]]되어 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shw_a240s_013_001.jpg | 은전극 기둥인 [[접지]] 비아가 쉽게 뽑힌다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shw_a240s_013_002.jpg | LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다. | ||
+ | image:shw_a240s_013_003.jpg | Rx파트 주기: 1.84um 2140MHz라면 3940m/sec | ||
+ | image:shw_a240s_013_004.jpg | Tx파트 주기: 1.98um 1950MHz라면 3860m/sec | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[다이싱]]은 Bevel cut | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shw_a240s_013_005.jpg | ||
+ | image:shw_a240s_013_006.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shv_e210k_058.jpg | ||
+ | image:shv_e210k_059.jpg | 레이저 마킹 판독성을 높이깅 위해 검정 니켈 [[도금]] | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[LTCC 기판]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shv_e210k_060.jpg | SAW 다이가 있을 때. 접지 비아가 무척 많다. | ||
+ | image:shv_e210k_060_000.jpg | SAW 다이를 제거한 후 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 패턴 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shv_e210k_060_001.jpg | 솔더볼 | ||
+ | image:shv_e210k_060_002.jpg | 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[정전기]] 파괴 영역1 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shv_e210k_060_003.jpg | ||
+ | image:shv_e210k_060_004.jpg | ||
+ | image:shv_e210k_060_005.jpg | ||
+ | image:shv_e210k_060_006.jpg | 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[정전기]] 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shv_e210k_060_007.jpg | ||
+ | image:shv_e210k_060_008.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[정전기]] 파괴 영역3 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shv_e210k_060_009.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[다이싱]], V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.) | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:shv_e210k_060_010.jpg | ||
+ | image:shv_e210k_060_011.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>무라타 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]] , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_b8850d_020.jpg | ||
+ | image:sch_b8850d_020_000.jpg | ㄷ자 패턴으로 L 형성 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이1 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_b8850d_020_001_001.jpg | ||
+ | image:sch_b8850d_020_001_002.jpg | 주기 4.18um, 906MHz라면 3790m/sec | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이2 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:sch_b8850d_020_002_001.jpg | ||
+ | image:sch_b8850d_020_002_002.jpg | 주기 4.49um, 851MHz라면 3820m/sec | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
<li> [[3G통신모듈]]에서 | <li> [[3G통신모듈]]에서 | ||
<ol> | <ol> | ||
318번째 줄: | 600번째 줄: | ||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>Triquint | ||
+ | <ol> | ||
<li>CDMA 1x EV-DO USB Modem | <li>CDMA 1x EV-DO USB Modem | ||
<ol> | <ol> | ||
339번째 줄: | 625번째 줄: | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>2.0x1.6mm | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>메인보드에서 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_002.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_003.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때 | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_005.jpg | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다. | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C | ||
+ | image:iphone5s01_136_005_008.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li>2.0x1.6mm | + | <li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>전체 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_010.jpg | #1~#26 위치 | ||
+ | image:lg_f460s_015.jpg | 왼쪽 2.0x1.6mm (유사크기) 5개 모두가 [[SAW-핸드폰DPX]]인듯 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#4 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]] | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>보라색 [[알루미나 기판]] 위에 [[전기도금 주조]]로 만든 [[PCB-L]] 인덕터가 보인다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 DPX는 다이 뒷면이 거칠어 뿌였다. 오른쪽이 이번 분석품으로 다이가 투명하다. 투명한 다이 아래로 인덕터가 보인다. | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_002.jpg | 다이를 뜯어보면, 인덕터 4개가 보인다. | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_003.jpg | 왼쪽 DPX 다이도 경사지게 사진찍으면 투명하게 보인다. 인덕터 두께 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 AC09B | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_004.jpg | 위쪽은 Rx 패턴, 아래는 Tx 패턴 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>IDT 패턴 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_005.jpg | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_006.jpg | 주기 1.87um, ~2.1GHz | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_008.jpg | apodized IDT | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[IC 표식]]에서 레이어 공정 표식(5-layer인듯) 및 [[광학 해상도 차트]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_007.jpg | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_009.jpg | 이 회사 [[포토마스크]] CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>#5 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 다이가 해당된다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#6, 2.0x1,6mm, HTCC [[SAW-핸드폰DPX]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_007_001.jpg | 무라타 DY89A1 | ||
+ | image:lg_f460s_015_007_002.jpg | 마주보는 전극이 녹는 곳과 녹지 않는 곳이 나누어진다. | ||
+ | image:lg_f460s_015_007_003.jpg | 전극면적이 작은곳이 녹지 않는다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#8 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]], 무라타 제조 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>기판 뒷면에서 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_003_001.jpg | 솔더링 패드를 제거하고(PCB 동박 1층을 제거한 후). 많은 비아는 모두 접지와 연결되는 [[실드 비아]]이다. | ||
+ | image:lg_f460s_015_003_002.jpg | 쏘필터 패턴이 보일 때까지 PCB를 깍아보면. 4층 PCB를 사용 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_003_003.jpg | ||
+ | image:lg_f460s_015_003_004.jpg | 시간당 온도차이가 커져 [[ESD 손상]] | ||
+ | image:lg_f460s_015_003_005.jpg | [[ESD 손상]] | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Rx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_003_006.jpg | 유기물 코팅으로 3차원 배선용 절연막으로 사용했다. | ||
+ | image:lg_f460s_015_003_007.jpg | DMS 패턴 부근에서, 저항을 낮추기 위한 두꺼운 배선 형태 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>#14 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]], 무라타 제조 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f460s_015_014_001.jpg | Rx, CN72A1, 금속 총면적이 작은 곳은 멀쩡한다. | ||
+ | image:lg_f460s_015_014_002.jpg | Tx, 여기서 맨 아래 왼쪽을 보면 | ||
+ | image:lg_f460s_015_014_003.jpg | 금속 총면적이 작은 곳(위쪽 IDT)은 비교적 멀쩡한다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>#5, 마킹 PMKY | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>가장 오른쪽, 와이솔 제품 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[알루미나 기판]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_007.jpg | 왼쪽이 Tx, 오른쪽이 Rx | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[SAW-핸드폰DPX]] | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_008.jpg | ||
+ | image:lg_f570s_040_009.jpg | Tx 다이, X836AZ2 Tx MP3 PDC | ||
+ | image:lg_f570s_040_010.jpg | ||
+ | image:lg_f570s_040_011.jpg | Rx 다이, X836AZ2 Rx MP4 PDC | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>#6, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이1 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_001.jpg | CY40-A2 | ||
+ | image:lg_f570s_040_002.jpg | [[IC 표식]] 山, 한자 메 산, 일본발음 야마 | ||
+ | image:lg_f570s_040_003.jpg | 주기: 1.90um 3900msec 라면 2053MHz, 직렬만 이렇게 설계된 듯 | ||
+ | image:lg_f570s_040_004.jpg | 병렬 레조네이터에만 이렇게 설계된 듯 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이2 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_005.jpg | DH90-A2 | ||
+ | image:lg_f570s_040_006.jpg | 주기 1.78um 3900m/sec라면 2190MHz, 모든 IDT가 이렇게 설계됨. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>#7, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽에서 두 번째, 세라믹 기판 사용품 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW 다이1 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_021.jpg | DW71-A1 | ||
+ | image:lg_f570s_040_022.jpg | x150 대물렌즈, 주기 1.99um 3900m/s라면 중심주파수는 1960MHz | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>SAW 다이2 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_023.jpg | ||
+ | image:lg_f570s_040_024.jpg | x100 대물렌즈에서, 주기 2.14um 속도 3900m/sec라면 중심주파수는 1822MHz | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>#8, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외형 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040.jpg | 왼쪽, PCB 기판 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Tx 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_012.jpg | DQ56-A1 | ||
+ | image:lg_f570s_040_016.jpg | 주기 1.972um, 탭 폭이 넓다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>Rx 다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_013.jpg | CU40-A2 | ||
+ | image:lg_f570s_040_014.jpg | [[정전기]] 파괴 패턴, 오른쪽 lateral IDT가 더 많고 withdrawl 전극 1개 있다. | ||
+ | image:lg_f570s_040_015.jpg | 주기 1.835um | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li> [[와이어본딩]] 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_017.jpg | 다이, 기판 | ||
+ | image:lg_f570s_040_018.jpg | 다이를 바라볼 때 / 패키지를 바라볼 때 | ||
+ | image:lg_f570s_040_019.jpg | 패키지를 바라볼 때 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>도금용 [[타이바]]가 없는 [[유기물기판]]이다. | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_040_020.jpg | 4층 무전해도금 PCB | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>#9, [[SAW-핸드폰DPX]] 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품 | ||
<ol> | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_041.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:lg_f570s_041_001.jpg | 4각형 가장자리 프레임 벽이 있고, 가운데에 구리기둥 3개 있다. 다이를 손톱으로 누르면 쉽게 깨진다. (다이가 얇기 때문이다.) | ||
+ | image:lg_f570s_041_002.jpg | ||
+ | image:lg_f570s_041_003.jpg | 다이에서 만든 것이 아니라, 패키지에 만든 기둥이다. 다이와 접촉한다. | ||
+ | image:lg_f570s_041_004.jpg | AF92B(거울대칭으로 처리함) | ||
+ | image:lg_f570s_041_005.jpg | 주기 2.08um (~1875MHz) | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
<li>한국 SK텔레콤용 [[포켓WiFi]]에서 사용된 무라타 850/1800MHz | <li>한국 SK텔레콤용 [[포켓WiFi]]에서 사용된 무라타 850/1800MHz | ||
<ol> | <ol> | ||
396번째 줄: | 872번째 줄: | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li> | + | <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>#09, Epcos |
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_009_001.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_009_002.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg | 직렬 6폴 패턴 | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 물질 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>1.8x1.4mm | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>크기 비교 사진 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm | ||
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image: | + | image:saw_dpx9575_02_012.jpg |
− | |||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | </ol> |
+ | </ol> | ||
+ | <li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])? | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>모듈에서 | ||
<gallery> | <gallery> | ||
− | image: | + | image:iphone5s01_136_001.jpg |
+ | image:iphone5s01_136_001_001.jpg | ||
</gallery> | </gallery> | ||
− | <li> | + | <li>1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP [[SAW-핸드폰DPX]] |
<gallery> | <gallery> | ||
− | image: | + | image:iphone5s01_136_001_002.jpg |
− | image: | + | image:iphone5s01_136_001_003.jpg |
− | |||
− | |||
− | |||
− | |||
</gallery> | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
</ol> | </ol> | ||
+ | <li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>[[PAM]] 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯. | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>외관 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:a710s01_075.jpg | 주변 매칭소자가 많다. | ||
+ | image:a710s01_076.jpg | ||
+ | image:a710s01_076_001.jpg | 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다. | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>몰딩 수지를 벗기면 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:a710s01_076_002.jpg | ||
+ | image:a710s01_076_003.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>솔더 [[플립본딩]]된 다이를 [[알루미나 기판]]에서 분리하면 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:a710s01_076_004.jpg | ||
+ | image:a710s01_076_005.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>다이 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:a710s01_076_006.jpg | ||
+ | image:a710s01_076_007.jpg | ||
+ | image:a710s01_076_008.jpg | 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um | ||
+ | image:a710s01_076_009.jpg | ||
+ | image:a710s01_076_010.jpg | [[TEG]] 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴 | ||
+ | </gallery> | ||
</ol> | </ol> | ||
− | <li> | + | <li>Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에 |
<ol> | <ol> | ||
− | <li> | + | <li>위치한 곳 및 외관 |
+ | <gallery> | ||
+ | image:a710s01_005_003.jpg | 위치 | ||
+ | image:a710s01_026.jpg | 1.8x1.4mm | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>표면 상단 수지막을 벗기면 | ||
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− | image: | + | image:a710s01_027.jpg |
+ | image:a710s01_028.jpg | 다이 뒷면이 거칠지 않다. | ||
+ | image:a710s01_029.jpg | 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다. | ||
+ | image:a710s01_030.jpg | [[EMC]]에서 둥근 실리카 필러 관찰 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>[[알루미나 기판]]에서 다이 분리 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:a710s01_031.jpg | ||
+ | image:a710s01_032.jpg | ||
+ | image:a710s01_033.jpg | 구리 [[도금]] | ||
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− | <li> | + | </ol> |
+ | </ol> | ||
+ | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, 7개 사용하는데, | ||
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<li>Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP [[SMR]]-[BAW]] 참조 | <li>Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP [[SMR]]-[BAW]] 참조 | ||
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− | <li> | + | <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서 |
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− | <li> | + | <li>#11, Kyocera, K202 마킹 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>참고 Kyocera SD18 시리즈에서 | ||
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− | <li> | + | <li>SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design) |
+ | <li>Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다. | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>불에 태워서 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_011_001.jpg | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>T(Tx로 추정) B20 601 마킹 | ||
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− | image: | + | image:redmi_note6pro_013_011_002.jpg |
− | image: | + | image:redmi_note6pro_013_011_003.jpg |
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− | <li> | + | <li>R(Rx로 추정) B20 722 마킹 |
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− | image: | + | image:redmi_note6pro_013_011_004.jpg |
− | image: | + | image:redmi_note6pro_013_011_005.jpg |
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+ | <li>의견 | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>처음보는 [[HTCC]] 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다. | ||
+ | <li>타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다. | ||
+ | <li>보호막이 없다고 생각됨. | ||
+ | <li>솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?) | ||
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+ | </ol> | ||
+ | <li>#10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_010_001.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_010_002.jpg | 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_010_003.jpg | Y199-23 얇은 LT가 깨졌다. | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_010_004.jpg | Y196-09 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_012_001.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_012_002.jpg | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_012_003.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 다이, X857 -06 | ||
+ | </gallery> | ||
+ | <li>#13, Murata, GY35-A1 | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_013_001.jpg | 불에 태워서 | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_013_002.jpg | 본딩된 전극 손상이 크다. [[SAW필터에서 초전성]] | ||
+ | </gallery> | ||
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<li>1.55x1.15mm | <li>1.55x1.15mm | ||
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− | <li> | + | <li>크기 비교 사진 |
+ | <ol> | ||
+ | <li>9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm | ||
+ | <ol> | ||
+ | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm | ||
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image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm | image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm | ||
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− | <li> | + | </ol> |
+ | </ol> | ||
+ | <li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당 | ||
<ol> | <ol> | ||
<li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기 | <li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기 | ||
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+ | </ol> | ||
+ | </ol> | ||
+ | <li>1.4x1.1mm | ||
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+ | <li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서 | ||
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+ | <li>#8, Epcos | ||
+ | <gallery> | ||
+ | image:redmi_note6pro_013_008_001.jpg | ||
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2023년 1월 4일 (수) 21:11 기준 최신판
SAW-핸드폰DPX
- 전자부품
- SAW대문
- SAW-핸드폰DPX - 이 페이지
- 참고
- SAW대문
- 필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
- 3.8x3.8mm 필터를 사용함.
- U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
- U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
- 3.8x3.8mm 필터를 사용함.
- 9.5x7.5mm
- 3.0x3.0mm 필터를 사용함.
- 삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
- 이 상태로 있길래
- 깡통을 벗기니
- 3.0x3.0mm 쏘필터를 다시 납땜해서
- 쏘필터 뚜껑을 벗기니
- 이 상태로 있길래
- 삼성전기, 개발품(?)
- 이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트
- 이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트
- 삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
- 후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
- 제품규격서
- - 12p
- - 15p
- StarTAC 휴대폰에서
- 제품규격서
- 삼성전기 X836KP - 2001년 제품
- 어떤 측정치구
- 자재 및 공정
- 사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
- 융착 결과 - AuSn 두께가 30um으로 두꺼워야 하는 이유. 패키지가 크면 warpage가 커, 빈공간을 메워야 하므로
- 사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교
- 포켓WiFi에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
- 비교 사진
- 칩 전체
- 확대
- 더 확대
- 무라타 2016과 비교
- Rx 칩에서, HWP 폰트(유니코드 문자코드 263B, Black Smiling Face)로 만든 패턴인듯.
- 비교 사진
- 어떤 측정치구
- 3.0x3.0mm 필터를 사용함.
- 5.0x5.0mm
- Fujitsu
- 제품규격서
- - 9p
- 2005.05 제조 싸이버뱅크 CP-X310 PDA폰
- LG-SD1250 2003년 3월 제조된 핸드폰에서
- 외관
- 내부
알루미늄 웨지 와이어본딩
- 불에 달궈 다이를 뜯음
- 외관
- 제품규격서
- Fujitsu
- 3.8x3.8mm
- 삼성전기
- LTCC, 캐비티 패키지, KYH
- 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
- SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
- 뚜껑을 벗기고
- 불에 태우면
- SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
- K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
- LTCC, 캐비티 패키지, KYH
- Fujitsu
- FAR-D5CF-881M50-D1F1
- 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰
- 외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
- 뚜껑(lid)을 벗기면
- 다이 관찰
- EMI 차폐를 강화시킨 밑면 접지 패턴
- 패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 SAW필터에서 초전성 때문에 쉽게 녹는다.
- 외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
- 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰
- FAR-D5CF-881M50-D1F1
- Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
- 데이타시트
- 2006.10 출시 삼성 월드로밍 SCH-V920 슬라이드 피처폰
- 기술정보
- 내부 패턴을 보면 Epcos 설계와 매우 유사
- CDMA, Fc=836.5/881.5MHz, 모델명 EFSD836Mxx
- J-CDMA, fc=856.5/911.5MHz, 모델명 EFSD911MD1 또는 EFSD911MD2
- 기술정보
- 2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 canU701D에서
- 외관
- 측정
- 기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성
- 납땜 단자 고착 강도
- 다이
- 현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄
- 외관
- SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
- 규격서 - 6p
- SAW-핸드폰DPX
- SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
안테나와 DPX와의 경로 중간에 안테나 커넥터 스위치가 있다.
- 주파수 특성
- 뚜껑 열기(delidding)
Au 볼 와이어본딩에서 와이어가 직선 도선 인덕터로 동작한다.
왼쪽과 오른쪽 두 패턴 사이를 차폐하기 위한 Y자 접지 패턴이 이채롭다.
- 패턴
- SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
- 삼성전기
- 3.2x2.5mm
- 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 기판 캐비티 구리전극, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
- 3.0x2.5mm
- 엡코스
- 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D
- 두 개 제품 외관
- 위 사진에서 왼쪽에 있는 7662 마킹, 1765/1855MHz Korea PCS용
- 오른쪽에 있는 A21 마킹, 836.5/881.5MHz용
- 다이 패턴
- 다이 뒷면을 빨갛게 가열한 후
- 다이 패턴
- 두 개 제품 외관
- 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D
- 후지쯔
- 제품규격서
- - 11p
- 제품규격서
- 밸러스 Rx, SJB(송진백)
- 엡코스
- 2.5x2.0mm
- 와이솔
- 2010/10 삼성 GT-B6520 휴대폰에서
- 위치
- 2번 SAW-핸드폰DPX 2.5x2.0mm, 와이솔 제품
- 3번 SAW-핸드폰DPX 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품
- 위치
- 2010/10 삼성 GT-B6520 휴대폰에서
- Epcos
- 무라타
- 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
- 외관
- 다이1
- 다이2
- 외관
- 3G통신모듈에서
- 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
- 통신모듈
- 외관
- 에폭시를 제거하면
- 칩 뜯는 방법
- 패키지와 칩. Tx칩은 큰 내전력이 요구되므로, Rx칩과 공정이 달라, 표면 구조가 다르기 때문에 다른 빛깔로 관찰된다.
- Rx 칩. 아래 중앙이 Ant, 아래 좌우가 diffential out(좌우 대칭)
- Tx 칩
- 통신모듈
- 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
- 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
- Triquint
- CDMA 1x EV-DO USB Modem
- 외관
- Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
- 외관
- CDMA 1x EV-DO USB Modem
- 와이솔
- 2.0x1.6mm
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- Avago A790720, Dual PAMiD
- 메인보드에서
- CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
- Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW-핸드폰DPX
- 메인보드에서
- Avago A790720, Dual PAMiD
- 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
- 전체
왼쪽 2.0x1.6mm (유사크기) 5개 모두가 SAW-핸드폰DPX인듯
- #4 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX
- #5 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX
- #6, 2.0x1,6mm, HTCC SAW-핸드폰DPX
- #8 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX, 무라타 제조
- #14 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX, 무라타 제조
- 전체
- 2015 LG-F570S LG Band Play 에서
- #5, 마킹 PMKY
- 가장 오른쪽, 와이솔 제품
- 알루미나 기판
- SAW-핸드폰DPX
- 가장 오른쪽, 와이솔 제품
- #6, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
- 외관
- 다이1
IC 표식 山, 한자 메 산, 일본발음 야마
- 다이2
- 외관
- #7, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
- 외관
- SAW 다이1
- SAW 다이2
- 외관
- #8, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
- #9, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
- 외관
- 다이
- 외관
- #5, 마킹 PMKY
- 한국 SK텔레콤용 포켓WiFi에서 사용된 무라타 850/1800MHz
- 2.0x1.6mm 1800MHz용
- 외형
- 내부
- Rx 칩
- Tx 칩에서
- 칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
- 2.0x1.6mm 850MHz용
- 외형
- Rx 칩
- Tx 칩
- 외형
- 외형
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
- #09, Epcos
- #09, Epcos
- 2.0x1.6mm 1800MHz용
- 1.8x1.4mm
- 크기 비교 사진
- 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
- 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
- Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
- 모듈에서
- 1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP SAW-핸드폰DPX
- 모듈에서
- Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
- 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데,
- Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 참조
- Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
- Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 사파이어접합, 3개 SAW
- 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
- 측면
- 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
- 주파수 파형
- Tx필터 온도 특성 실험-1
- 치구 준비
- 가열 냄비 준비
- 과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
- 실험 방법
- 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
- 엑셀 데이터
- 치구 준비
- Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
- 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
- 그래프
- 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
- 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
- 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
- SAW + BAW 조합이다.
- F-BAR baw 필터
- 공진기 #1~#6
- Rx saw 필터
- SAW + BAW 조합이다.
- 주파수 파형
- 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
- 7A4, LTE Band1
- 주파수 파형
- 전체
- Rx
- Tx
- 주파수 파형
- 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
- 주파수 파형
- 다이 내부
- 주파수 파형
- 7E4, LTE Band5
- 주파수 파형
- 다이 내부
- 주파수 파형
- 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
- #11, Kyocera, K202 마킹
- 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
- SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
- Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
- 불에 태워서
- T(Tx로 추정) B20 601 마킹
- R(Rx로 추정) B20 722 마킹
- 의견
- 처음보는 HTCC 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
- 타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
- 보호막이 없다고 생각됨.
- 솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
- 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
- #10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
사파이어+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
- #12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
사파이어+LT 접합 다이, X857 -06
- #13, Murata, GY35-A1
본딩된 전극 손상이 크다. SAW필터에서 초전성
- #11, Kyocera, K202 마킹
- 크기 비교 사진
- 1.55x1.15mm
- 크기 비교 사진
- 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
- 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
- 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
- Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
- 외관
- 패키징
- 다이
- 외관
- Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
- 크기 비교 사진
- 1.4x1.1mm
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
- #8, Epcos
- #8, Epcos
- 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
- 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰