"SAW-핸드폰DPX"의 두 판 사이의 차이

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<li> [[전자부품]]
 
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<li> [[SAW대문]]
 
<li> [[SAW대문]]
 
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<li> [[SAW-핸드폰DPX]] - 이 페이지
 
<li> [[SAW-핸드폰DPX]] - 이 페이지
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<li>참고
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<li> [[FEMiD]]
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<li> [[PAM]]
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<li> [[PAMiD]]
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<li>필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
 
<li>필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
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<li>9.5x7.5mm
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<li>3.0x3.0mm 필터를 사용함.
 
<li>3.0x3.0mm 필터를 사용함.
 
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<li>삼성전기, 개발품(?)
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<li>이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트
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image:saw_dpx9575_03_001.jpg
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image:saw_dpx9575_03_002.png
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</ol>
 
</ol>
<li>9.5x7.5mm
+
<li>후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
 
<ol>
 
<ol>
<li>후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
+
<li>제품규격서
 
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<ol>
<li>제품규격서 - 12p
+
<li> - 12p
 +
<li> - 15p
 +
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<li> [[StarTAC]] 휴대폰에서
 
<li> [[StarTAC]] 휴대폰에서
 
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<gallery>
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<li>삼성전기 X836KP - 2001년 제품
 
<li>삼성전기 X836KP - 2001년 제품
 
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 +
<li>어떤 측정치구
 +
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 +
image:saw_dpx9575_00_001.jpg
 +
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<li>자재 및 공정
 
<li>자재 및 공정
 
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</ol>
<li>2017년 [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교
+
<li>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
 
image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
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<li>Fujitsu
 
<li>Fujitsu
 
<ol>
 
<ol>
<li> [[싸이버뱅크 CP-X310]] PDA 폰에서
+
<li>제품규격서
 +
<ol>
 +
<li> - 9p
 +
</ol>
 +
<li>2005.05 제조 [[싸이버뱅크 CP-X310]] PDA폰
 
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image:cp_x310_025.jpg | 싸이버뱅크 CVC-100 RF 보드를 떼어내면
 
image:cp_x310_026.jpg | 안테나 접점과 연결되는 Fujitsu [[SAW-핸드폰DPX]]
 
image:cp_x310_028.jpg | RF 모듈 앞면, Qualcomm MSM5500 Modem, RFT3100 Tx Processor, IFR3500 Rx Processor, Skyworks CX77105-16P PAM(824~849MHz), MAX2538E Mixer,  LMX2354 PLL
 
 
image:cp_x310_028_001.jpg
 
image:cp_x310_028_001.jpg
image:cp_x310_029.jpg | Fujitsu 5.0x5.0mm [[SAW-핸드폰DPX]]
+
image:cp_x310_029.jpg | M5 마킹
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li> [[LG-SD1250]] 2003년 3월 제조된 [[핸드폰]]에서
 
<li> [[LG-SD1250]] 2003년 3월 제조된 [[핸드폰]]에서
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</ol>
 
</ol>
 
<li>K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
 
<li>K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
 +
</ol>
 +
<li>Fujitsu
 +
<ol>
 +
<li>FAR-D5CF-881M50-D1F1
 +
<ol>
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<li>2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 [[IM-U110]] 피처폰
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<ol>
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<li>외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
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image:im_u110_018.jpg
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image:im_u110_018_001.jpg | [[LTCC 제품]] 패키지 위에 가장자리에만 AuSn[[솔더]]가 발라진 평탄한 뚜껑(lid)를 눌러서 납땜하였다.
 +
</gallery>
 +
<li>뚜껑(lid)을 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_018_002.jpg | [[Al 웨지 와이어본딩]]
 +
image:im_u110_018_003.jpg | 패키지 4코너에 접지용 비아가 있다.
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</gallery>
 +
<li>다이 관찰
 +
<gallery>
 +
image:im_u110_018_004.jpg | Tx 다이에는 5개 본딩, Rx 다이는 10개 본딩
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image:im_u110_018_005.jpg | 유기물 오염
 +
</gallery>
 +
<li> [[EMI]] 차폐를 강화시킨 밑면 [[접지]] 패턴
 +
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 +
image:im_u110_018_006.jpg | ANT Tx Rx 단자 위치. 패키지 밑면 T자 접지에 납땜하지 않았다.
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image:im_u110_018_007.jpg | 갈아낸 후 전극 모양
 +
</gallery>
 +
<li>패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 [[SAW필터에서 초전성]] 때문에 쉽게 녹는다.
 +
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 +
image:im_u110_018_008.jpg
 +
image:im_u110_018_009.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
<li>Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
 
<li>Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>데이타시트  
 
<li>데이타시트  
 +
<li>2006.10 출시 삼성 월드로밍 [[SCH-V920]] 슬라이드 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>기술정보
 +
<ol>
 +
<li>내부 패턴을 보면 Epcos 설계와 매우 유사
 +
</ol>
 +
<li>CDMA, Fc=836.5/881.5MHz, 모델명 EFSD836Mxx
 +
<gallery>
 +
image:sch_v920_025.jpg
 +
image:sch_v920_025_001.jpg
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image:sch_v920_025_002.jpg
 +
image:sch_v920_025_003.jpg | D83FL 88 HR
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image:sch_v920_025_004.jpg
 +
image:sch_v920_025_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>J-CDMA, fc=856.5/911.5MHz, 모델명 EFSD911MD1 또는 EFSD911MD2
 +
<gallery>
 +
image:sch_v920_026.jpg
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image:sch_v920_026_001.jpg
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image:sch_v920_026_002.jpg
 +
image:sch_v920_026_003.jpg | A8590G12P
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 [[canU701D]]에서
 
<li>2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 [[canU701D]]에서
 
<ol>
 
<ol>
227번째 줄: 311번째 줄:
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>규격서 - 6p
 
<li>규격서 - 6p
<li> Motorola [[MS500]] 휴대폰에서
+
<li> [[SAW-핸드폰DPX]]
 
<ol>
 
<ol>
<li>세트에서. W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
+
<li>SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
 
<gallery>
 
<gallery>
image:ms500_01_026.jpg
+
image:ms500_01_026.jpg | [[안테나]]와 DPX와의 경로 중간에 [[안테나 커넥터 스위치]]가 있다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>주파수 특성
 
<li>주파수 특성
242번째 줄: 326번째 줄:
 
image:ms500_01_027_005.png | Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec
 
image:ms500_01_027_005.png | Tx/Rx ladder 필터의 지연시간 약 20nsec
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>뚜껑 열기
+
<li>뚜껑 열기(delidding)
 
<gallery>
 
<gallery>
image:ms500_01_028.jpg | 와이어본딩이 L로 동작하므로 정교하게 연결한다.
+
image:ms500_01_028.jpg | [[Au 볼 와이어본딩]]에서 와이어가 [[직선 도선 인덕터]]로 동작한다.
image:ms500_01_029.jpg | 두 패턴 사이에 Y자 접지 패턴이 이채롭다.
+
image:ms500_01_029.jpg | 왼쪽과 오른쪽 두 패턴 사이를 [[차폐]]하기 위한 Y자 접지 패턴이 이채롭다.
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>패턴
 
<li>패턴
259번째 줄: 343번째 줄:
 
<li>3.2x2.5mm
 
<li>3.2x2.5mm
 
<ol>
 
<ol>
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 구리전극 캐비티, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
+
<li>무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm [[LTCC 기판]] 캐비티 구리전극, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
 
<ol>
 
<ol>
<li> [[LG-SH170]] 에서
+
<li>2008년 1월 제조된 [[LG-SH170]] 슬라이드 피처폰
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
 
<li>리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
276번째 줄: 360번째 줄:
 
image:sh170_058.jpg | 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다.
 
image:sh170_058.jpg | 기판 구리전극이 뜯어졌다. 칩에서 보호막 두께가 달라 색상이 달리 보인다.
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>패턴
+
<li>다이 패턴
 
<gallery>
 
<gallery>
image:sh170_059.jpg
+
image:sh170_059.jpg | W734-A1
 
image:sh170_060.jpg
 
image:sh170_060.jpg
 
image:sh170_061.jpg
 
image:sh170_061.jpg
 
image:sh170_062.jpg | 융착온도 때문에 금속 확산
 
image:sh170_062.jpg | 융착온도 때문에 금속 확산
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>어떤 칩 다이싱 단면
+
<li>어떤 칩 [[다이싱]] 단면
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:sh170_063.jpg | 한쪽면
 
image:sh170_063.jpg | 한쪽면
290번째 줄: 374번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li> [[SPH-W4700]]
+
<li>2008.04 제조 삼성 [[SPH-W4700]] 슬라이드 피처폰
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>외관
 
<li>외관
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:w4700_020.jpg
 
image:w4700_020.jpg
image:w4700_021.jpg
+
image:w4700_021.jpg | Au-Sn [[솔더]]로 리드 실링
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>플립 본딩
+
<li> [[플립본딩]]
 
<gallery>
 
<gallery>
image:w4700_022.jpg | 검정색 , 이젝트핀 자국
+
image:w4700_022.jpg | 검정색 다이, 다이 중앙에 이젝트핀 자국
 
image:w4700_023.jpg
 
image:w4700_023.jpg
image:w4700_024.jpg | LTCC 구리전극 캐비티
+
image:w4700_024.jpg | [[LTCC 기판]]은 구리전극에 캐비티 형태
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
 
<li>칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
 
<gallery>
 
<gallery>
image:w4700_025.jpg | W734-A1
+
image:w4700_025.jpg | W734-A1, 가중 weighting 전극
 
</gallery>
 
</gallery>
 
<li>칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
 
<li>칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
 
<gallery>
 
<gallery>
image:w4700_026.jpg
+
image:w4700_026.jpg | 가중 weighting 전극
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
316번째 줄: 400번째 줄:
 
<li>3.0x2.5mm
 
<li>3.0x2.5mm
 
<ol>
 
<ol>
<li>밸러스 Rx, SJB
+
<li>엡코스
 +
<ol>
 +
<li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]]
 +
<ol>
 +
<li>두 개 제품 외관
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>위 사진에서 왼쪽에 있는 7662 마킹, 1765/1855MHz Korea PCS용
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019_7662_001.jpg
 +
image:sch_b8850d_019_7662_002.jpg | 주기 2.17um 1855MHz라면 4025m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>오른쪽에 있는 A21 마킹, 836.5/881.5MHz용
 +
<ol>
 +
<li>다이 패턴
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019_a21_001.jpg | 위치 1,2,3
 +
image:sch_b8850d_019_a21_002.jpg | 위치 1 주기 4.38um 881MHz라면 3860m/sec
 +
image:sch_b8850d_019_a21_003.jpg | 위치 2 주기 4.63um
 +
image:sch_b8850d_019_a21_004.jpg | 위치 3 주기 4.825um 836MHz라면 4030m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>다이 뒷면을 빨갛게 가열한 후
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_019_a21_005.jpg
 +
image:sch_b8850d_019_a21_006.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>후지쯔
 +
<ol>
 +
<li>제품규격서
 +
<ol>
 +
<li> - 11p
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>밸러스 Rx, SJB(송진백)
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:saw_dpx3025_01_001.jpg
 
image:saw_dpx3025_01_001.jpg
323번째 줄: 444번째 줄:
 
<li>2.5x2.0mm
 
<li>2.5x2.0mm
 
<ol>
 
<ol>
<li>세트에서 발견
+
<li>와이솔
 +
<ol>
 +
<li>2010/10 삼성 [[GT-B6520]] 휴대폰에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>와이솔, 핸드폰 GT-B6520에서
+
<li>위치
 
<gallery>
 
<gallery>
 
image:gt_b6520_012.jpg | SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치
 
image:gt_b6520_012.jpg | SAW 부품 1,2,3,4,5,6 위치
image:gt_b6520_016.jpg | 2 듀플렉서 칩 두께가 서로 다르다.
+
</gallery>
 +
<li>2번 [[SAW-핸드폰DPX]] 2.5x2.0mm, 와이솔 제품
 +
<gallery>
 +
image:gt_b6520_016.jpg | 칩 두께가 서로 다르다.
 
image:gt_b6520_016_001.jpg | XG50PD5-MP6 Rx HJD
 
image:gt_b6520_016_001.jpg | XG50PD5-MP6 Rx HJD
 
image:gt_b6520_016_002.jpg | XG50PD5-MP? Tx HJD
 
image:gt_b6520_016_002.jpg | XG50PD5-MP? Tx HJD
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
<li>3번 [[SAW-핸드폰DPX]] 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품
 +
<gallery>
 +
image:gt_b6520_017.jpg | 칩 두께가 서로 다르다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Epcos
 +
<ol>
 +
<li>2011.02 출시 삼성 와이즈 [[SHW-A240S]] 폴더 피처폰
 +
<ol>
 +
<li>W-CDMA Band1(1950/2140MHz), Epcos 제조, 모델명 B7696(B39212B7696M810)
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013.jpg | 왼쪽에 있는 모자형태 패키지. 가장자리에 접지 비아가 많다. 18+14+4=36개
 +
</gallery>
 +
<li>은전극을 사용한 [[LTCC 제품]]으로, 솔더 [[플립본딩]]되어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013_001.jpg | 은전극 기둥인 [[접지]] 비아가 쉽게 뽑힌다.
 +
</gallery>
 +
<li>SAW 다이
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013_002.jpg | LR81H 마킹, Bevel cut 때문에 가장자리에 검은 테두리가 보인다.
 +
image:shw_a240s_013_003.jpg | Rx파트 주기: 1.84um 2140MHz라면 3940m/sec
 +
image:shw_a240s_013_004.jpg | Tx파트 주기: 1.98um 1950MHz라면 3860m/sec
 +
</gallery>
 +
<li> [[다이싱]]은 Bevel cut
 +
<gallery>
 +
image:shw_a240s_013_005.jpg
 +
image:shw_a240s_013_006.jpg
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2012 삼성 갤럭시 S3 [[SHV-E210K]]
 +
<ol>
 +
<li>칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_058.jpg
 +
image:shv_e210k_059.jpg | 레이저 마킹 판독성을 높이깅 위해 검정 니켈 [[도금]]
 +
</gallery>
 +
<li> [[LTCC 기판]]
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060.jpg | SAW 다이가 있을 때. 접지 비아가 무척 많다.
 +
image:shv_e210k_060_000.jpg | SAW 다이를 제거한 후
 +
</gallery>
 +
<li>다이 패턴
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060_001.jpg | 솔더볼
 +
image:shv_e210k_060_002.jpg | 정전기로 파괴된 3군데 확대 영역
 +
</gallery>
 +
<li>[[정전기]] 파괴 영역1
 +
<gallery>
 +
image:shv_e210k_060_003.jpg
 +
image:shv_e210k_060_004.jpg
 +
image:shv_e210k_060_005.jpg
 +
image:shv_e210k_060_006.jpg | 주기 2.33um, 3900m/s라면 약 1675MHz
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</gallery>
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<li>[[정전기]] 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
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image:shv_e210k_060_007.jpg
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image:shv_e210k_060_008.jpg
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</gallery>
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<li>[[정전기]] 파괴 영역3
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<gallery>
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image:shv_e210k_060_009.jpg
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</gallery>
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<li> [[다이싱]], V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
 +
<gallery>
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image:shv_e210k_060_010.jpg
 +
image:shv_e210k_060_011.jpg
 +
</gallery>
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</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>무라타
 +
<ol>
 +
<li>2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 [[SCH-B8850D]] , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_020.jpg
 +
image:sch_b8850d_020_000.jpg | ㄷ자 패턴으로 L 형성
 +
</gallery>
 +
<li>다이1
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_020_001_001.jpg
 +
image:sch_b8850d_020_001_002.jpg | 주기 4.18um, 906MHz라면 3790m/sec
 +
</gallery>
 +
<li>다이2
 +
<gallery>
 +
image:sch_b8850d_020_002_001.jpg
 +
image:sch_b8850d_020_002_002.jpg | 주기 4.49um, 851MHz라면 3820m/sec
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li> [[3G통신모듈]]에서
 
<li> [[3G통신모듈]]에서
 
<ol>
 
<ol>
378번째 줄: 600번째 줄:
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>Triquint
 +
<ol>
 
<li>CDMA 1x EV-DO USB Modem
 
<li>CDMA 1x EV-DO USB Modem
 
<ol>
 
<ol>
399번째 줄: 625번째 줄:
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2.0x1.6mm
 +
<ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
 +
<ol>
 +
<li>메인보드에서
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP
 +
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 +
</gallery>
 +
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
 +
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
 +
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
 +
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
 +
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li>2.0x1.6mm
+
<li>2014.07 제조 [[LG-F460S]] LG G3 Cat.6 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>전체
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_010.jpg | #1~#26 위치
 +
image:lg_f460s_015.jpg | 왼쪽 2.0x1.6mm (유사크기) 5개 모두가 [[SAW-핸드폰DPX]]인듯
 +
</gallery>
 +
<li>#4 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<ol>
 +
<li>보라색 [[알루미나 기판]] 위에 [[전기도금 주조]]로 만든 [[PCB-L]] 인덕터가 보인다.
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 DPX는 다이 뒷면이 거칠어 뿌였다. 오른쪽이 이번 분석품으로 다이가 투명하다. 투명한 다이 아래로 인덕터가 보인다.
 +
image:lg_f460s_015_001_002.jpg | 다이를 뜯어보면, 인덕터 4개가 보인다.
 +
image:lg_f460s_015_001_003.jpg | 왼쪽 DPX 다이도 경사지게 사진찍으면 투명하게 보인다. 인덕터 두께
 +
</gallery>
 +
<li>다이 AC09B
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_004.jpg | 위쪽은 Rx 패턴, 아래는 Tx 패턴
 +
</gallery>
 +
<li>IDT 패턴
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_005.jpg
 +
image:lg_f460s_015_001_006.jpg | 주기 1.87um, ~2.1GHz
 +
image:lg_f460s_015_001_008.jpg | apodized IDT
 +
</gallery>
 +
<li> [[IC 표식]]에서 레이어 공정 표식(5-layer인듯) 및 [[광학 해상도 차트]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_007.jpg
 +
image:lg_f460s_015_001_009.jpg | 이 회사 [[포토마스크]] CAD 프로그램은 구멍 뚫린 폰트 적용은 허용 안되는 듯.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#5 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_001_001.jpg | 왼쪽 다이가 해당된다.
 +
</gallery>
 +
<li>#6, 2.0x1,6mm, HTCC [[SAW-핸드폰DPX]]
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_007_001.jpg | 무라타 DY89A1
 +
image:lg_f460s_015_007_002.jpg | 마주보는 전극이 녹는 곳과 녹지 않는 곳이 나누어진다.
 +
image:lg_f460s_015_007_003.jpg | 전극면적이 작은곳이 녹지 않는다.
 +
</gallery>
 +
<li>#8 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]], 무라타 제조
 
<ol>
 
<ol>
 +
<li>기판 뒷면에서
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_003_001.jpg | 솔더링 패드를 제거하고(PCB 동박 1층을 제거한 후). 많은 비아는 모두 접지와 연결되는 [[실드 비아]]이다.
 +
image:lg_f460s_015_003_002.jpg | 쏘필터 패턴이 보일 때까지 PCB를 깍아보면. 4층 PCB를 사용
 +
</gallery>
 +
<li>Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_003_003.jpg
 +
image:lg_f460s_015_003_004.jpg | 시간당 온도차이가 커져 [[ESD 손상]]
 +
image:lg_f460s_015_003_005.jpg | [[ESD 손상]]
 +
</gallery>
 +
<li>Rx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_003_006.jpg | 유기물 코팅으로 3차원 배선용 절연막으로 사용했다.
 +
image:lg_f460s_015_003_007.jpg | DMS 패턴 부근에서, 저항을 낮추기 위한 두꺼운 배선 형태
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
<li>#14 2.0x1.6mm [[SAW-핸드폰DPX]], 무라타 제조
 +
<gallery>
 +
image:lg_f460s_015_014_001.jpg | Rx, CN72A1, 금속 총면적이 작은 곳은 멀쩡한다.
 +
image:lg_f460s_015_014_002.jpg | Tx, 여기서 맨 아래 왼쪽을 보면
 +
image:lg_f460s_015_014_003.jpg | 금속 총면적이 작은 곳(위쪽 IDT)은 비교적 멀쩡한다.
 +
</gallery>
 +
</ol>
 
<li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서
 
<li>2015 [[LG-F570S]] LG Band Play 에서
 
<ol>
 
<ol>
556번째 줄: 872번째 줄:
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li> Apple [[iPhone 5S]]에서
+
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>Avago A790720, Dual [[PAMiD]]
+
<li>#09, Epcos
 +
<gallery>
 +
image:redmi_note6pro_013_009_001.jpg
 +
image:redmi_note6pro_013_009_002.jpg
 +
image:redmi_note6pro_013_009_003.jpg | 직렬 6폴 패턴
 +
image:redmi_note6pro_013_009_004.jpg | 오염 물질
 +
</gallery>
 +
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>1.8x1.4mm
 +
<ol>
 +
<li>크기 비교 사진
 +
<ol>
 +
<li>9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
 
<ol>
 
<ol>
<li>메인보드에서
+
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_136_005.jpg | Epcos 2016 도금타입 CSP
+
image:saw_dpx9575_02_012.jpg
image:iphone5s01_136_005_001.jpg | 열을 가하면 솔더가 위로 분출한다.
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2013.10 출시 애플 [[iPhone 5S]] 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
 +
<ol>
 +
<li>모듈에서
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_136_005_002.jpg
+
image:iphone5s01_136_001.jpg
 +
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
+
<li>1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 
<gallery>
 
<gallery>
image:iphone5s01_136_005_003.jpg
+
image:iphone5s01_136_001_002.jpg
image:iphone5s01_136_005_004.jpg | 위에서 볼 때
+
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
image:iphone5s01_136_005_005.jpg
 
image:iphone5s01_136_005_006.jpg | 솔더볼이 몰딩압력을 견디기 위해, 구리도금 벽을 세웠다.
 
image:iphone5s01_136_005_007.jpg | AISGC 또는 AI56C
 
image:iphone5s01_136_005_008.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 +
<li>2016.01 출시 삼성 [[SM-A710S]] 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
 +
<ol>
 +
<li>[[PAM]] 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
 +
<ol>
 +
<li>외관
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_075.jpg | 주변 매칭소자가 많다.
 +
image:a710s01_076.jpg
 +
image:a710s01_076_001.jpg | 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
 +
</gallery>
 +
<li>몰딩 수지를 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_002.jpg
 +
image:a710s01_076_003.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>솔더 [[플립본딩]]된 다이를 [[알루미나 기판]]에서 분리하면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_004.jpg
 +
image:a710s01_076_005.jpg
 +
</gallery>
 +
<li>다이
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_076_006.jpg
 +
image:a710s01_076_007.jpg
 +
image:a710s01_076_008.jpg | 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
 +
image:a710s01_076_009.jpg
 +
image:a710s01_076_010.jpg | [[TEG]] 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
 +
</gallery>
 
</ol>
 
</ol>
<li>1.8x1.4mm
+
<li>Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
 
<ol>
 
<ol>
<li>2017년 [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
+
<li>위치한 곳 및 외관
 
<gallery>
 
<gallery>
image:saw_dpx9575_02_012.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
+
image:a710s01_005_003.jpg | 위치
 +
image:a710s01_026.jpg | 1.8x1.4mm
 +
</gallery>
 +
<li>표면 상단 수지막을 벗기면
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_027.jpg
 +
image:a710s01_028.jpg | 다이 뒷면이 거칠지 않다.
 +
image:a710s01_029.jpg | 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
 +
image:a710s01_030.jpg | [[EMC]]에서 둥근 실리카 필러 관찰
 +
</gallery>
 +
<li>[[알루미나 기판]]에서 다이 분리
 +
<gallery>
 +
image:a710s01_031.jpg
 +
image:a710s01_032.jpg
 +
image:a710s01_033.jpg | 구리 [[도금]]
 
</gallery>
 
</gallery>
<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서, 7개 사용하는데,
+
</ol>
 +
</ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, 7개 사용하는데,
 
<ol>
 
<ol>
 
<li>Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP [[SMR]]-[BAW]] 참조
 
<li>Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP [[SMR]]-[BAW]] 참조
793번째 줄: 1,168번째 줄:
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
 
</ol>
<li> Apple [[iPhone 5S]]에서
+
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
 +
<ol>
 +
<li>#11, Kyocera, K202 마킹
 
<ol>
 
<ol>
<li>Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual [[PAMiD]])?
+
<li>참고 Kyocera SD18 시리즈에서
 
<ol>
 
<ol>
<li>모듈에서
+
<li>SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
<gallery>
+
<li>Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
image:iphone5s01_136_001.jpg
 
image:iphone5s01_136_001_001.jpg
 
</gallery>
 
<li>1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP [[SAW-핸드폰DPX]]
 
<gallery>
 
image:iphone5s01_136_001_002.jpg
 
image:iphone5s01_136_001_003.jpg
 
</gallery>
 
 
</ol>
 
</ol>
</ol>
+
<li>불에 태워서
<li>2016년 출시 삼성 갤럭시 A7 [[SM-A710S]]
 
<ol>
 
<li>[[PAM]] 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
 
<ol>
 
<li>외관
 
<gallery>
 
image:a710s01_075.jpg | 매칭 소자가 많다.
 
image:a710s01_076.jpg
 
image:a710s01_076_001.jpg | 투명수지막 두께는 4코너가 가장 두껍고, 변 가운데가 가장 얇다. 그 위 검정 수지는 중심이 가장 두껍다.
 
</gallery>
 
<li>몰딩 수지를 벗기면
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:a710s01_076_002.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_011_001.jpg
image:a710s01_076_003.jpg
 
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다이를 세라믹 기판에서 분리하면
+
<li>T(Tx로 추정) B20 601 마킹
 
<gallery>
 
<gallery>
image:a710s01_076_004.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_011_002.jpg
image:a710s01_076_005.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_011_003.jpg
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>다이
+
<li>R(Rx로 추정) B20 722 마킹
 
<gallery>
 
<gallery>
image:a710s01_076_006.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_011_004.jpg
image:a710s01_076_007.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_011_005.jpg
image:a710s01_076_008.jpg | 수직 gap이 수평선이 아니다. 주기 1.533um
 
image:a710s01_076_009.jpg
 
image:a710s01_076_010.jpg | [[TEG]] 막대기 폭 1.5um, 우하단: 1차전극 2차전극 정렬도 검사 패턴
 
 
</gallery>
 
</gallery>
 +
<li>의견
 +
<ol>
 +
<li>처음보는 [[HTCC]] 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
 +
<li>타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
 +
<li>보호막이 없다고 생각됨.
 +
<li>솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
 
</ol>
 
</ol>
<li>Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
+
</ol>
<ol>
+
<li>#10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
<li>위치한 곳 및 외관
 
 
<gallery>
 
<gallery>
image:a710s01_005_003.jpg | 위치
+
image:redmi_note6pro_013_010_001.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 웨이퍼로 만든 두 개의 SAW 필터 다이를 붙였다.
image:a710s01_026.jpg | 1.8x1.4mm
+
image:redmi_note6pro_013_010_002.jpg | 얇은 LT가 깨져 세라믹 기판에 붙어 있다.
 +
image:redmi_note6pro_013_010_003.jpg | Y199-23 얇은 LT가 깨졌다.
 +
image:redmi_note6pro_013_010_004.jpg | Y196-09
 
</gallery>
 
</gallery>
<li>표면 상단 수지막을 벗기면
+
<li>#12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
 
<gallery>
 
<gallery>
image:a710s01_027.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_012_001.jpg
image:a710s01_028.jpg | 다이 뒷면이 거칠지 않다.
+
image:redmi_note6pro_013_012_002.jpg
image:a710s01_029.jpg | 투명 수분차단막을 씌었고, 그 위에 EMC를 몰딩했다.
+
image:redmi_note6pro_013_012_003.jpg | [[사파이어]]+LT 접합 다이, X857 -06
image:a710s01_030.jpg | [[EMC]]에서 둥근 실리카 필러 관찰
 
 
</gallery>
 
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<li>[[알루미나 기판]]에서 다이 분리
+
<li>#13, Murata, GY35-A1
 
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image:a710s01_031.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_013_001.jpg | 불에 태워서
image:a710s01_032.jpg
+
image:redmi_note6pro_013_013_002.jpg | 본딩된 전극 손상이 크다. [[SAW필터에서 초전성]]
image:a710s01_033.jpg | 구리 [[도금]]
 
 
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<li>1.55x1.15mm
 
<li>1.55x1.15mm
 
<ol>
 
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<li>2017년 [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
+
<li>크기 비교 사진
 +
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 +
<li>9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
 +
<ol>
 +
<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
 
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image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
 
image:saw_dpx9575_02_013.jpg | 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
 
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<li> Xiaomi [[Redmi Note 4X]] 휴대폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
+
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<li>2017.02 출시 샤오미 [[Redmi Note 4X]] 스마트폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
 
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<li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
 
<li>Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
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 +
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<li>1.4x1.1mm
 +
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 +
<li>2018.10 출시 샤오미 [[Redmi Note 6 Pro]] 스마트폰에서
 +
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 +
<li>#8, Epcos
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image:redmi_note6pro_013_008_001.jpg
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2023년 1월 4일 (수) 21:11 기준 최신판

SAW-핸드폰DPX

  1. 전자부품
    1. SAW대문
      1. SAW-핸드폰DPX - 이 페이지
      2. 참고
        1. FEMiD
        2. PAM
        3. PAMiD
  2. 필터 두 개로 듀플렉서를 만듬
    1. 3.8x3.8mm 필터를 사용함.
      1. U-100 2003.10.1 마킹된 휴대폰보드에서
  3. 9.5x7.5mm
    1. 3.0x3.0mm 필터를 사용함.
      1. 삼성전기, 개발품(?) 모델명 모름
        1. 이 상태로 있길래
        2. 깡통을 벗기니
        3. 3.0x3.0mm 쏘필터를 다시 납땜해서
        4. 쏘필터 뚜껑을 벗기니
      2. 삼성전기, 개발품(?)
        1. 이 상태로 발견. X881XH, X836XH로 추정. 2000년 172로트
    2. 후지쯔(Fujitsu Media Devices Limited), FAR-D5CC-881M50-D1A4
      1. 제품규격서
        1. - 12p
        2. - 15p
      2. StarTAC 휴대폰에서
    3. 삼성전기 X836KP - 2001년 제품
      1. 어떤 측정치구
      2. 자재 및 공정
        1. 사용 패키지와 리드(8.0x6.0mm) 비교
        2. 융착 결과 - AuSn 두께가 30um으로 두꺼워야 하는 이유. 패키지가 크면 warpage가 커, 빈공간을 메워야 하므로
      3. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 1.8x1.4mm 및 1.55x1.15mm 크기와 비교
      4. 포켓WiFi에서 사용된 2.0x1.6mm 제품과 비교하기 위해 분해
        1. 비교 사진
        2. 칩 전체
        3. 확대
        4. 더 확대
        5. 무라타 2016과 비교
        6. Rx 칩에서, HWP 폰트(유니코드 문자코드 263B, Black Smiling Face)로 만든 패턴인듯.
  4. 5.0x5.0mm
    1. Fujitsu
      1. 제품규격서
        1. - 9p
      2. 2005.05 제조 싸이버뱅크 CP-X310 PDA폰
      3. LG-SD1250 2003년 3월 제조된 핸드폰에서
        1. 외관
        2. 내부
        3. 불에 달궈 다이를 뜯음
  5. 3.8x3.8mm
    1. 삼성전기
      1. LTCC, 캐비티 패키지, KYH
      2. 팬택 & 큐리텔 PT-L2200 피처폰에서
        1. SFXG65KC401, Korea PCS(Tx 1765MHz Rx 1855MHz), China 2006 190lot
        2. 뚜껑을 벗기고
        3. 불에 태우면
      3. K-PCS 내전력, 50도씨에서 1W 5만시간 이상
    2. Fujitsu
      1. FAR-D5CF-881M50-D1F1
        1. 2006.02 출시, 팬택, SKY 주크박스 IM-U110 피처폰
          1. 외관, F1 마킹은 FAR-D5CF-881M50-D1F1 이다.
          2. 뚜껑(lid)을 벗기면
          3. 다이 관찰
          4. EMI 차폐를 강화시킨 밑면 접지 패턴
          5. 패키지를 가열한 후. 와이어가 연결된 전극은 SAW필터에서 초전성 때문에 쉽게 녹는다.
    3. Matsushita Electronic Components Co. (Panasonic)
      1. 데이타시트
      2. 2006.10 출시 삼성 월드로밍 SCH-V920 슬라이드 피처폰
        1. 기술정보
          1. 내부 패턴을 보면 Epcos 설계와 매우 유사
        2. CDMA, Fc=836.5/881.5MHz, 모델명 EFSD836Mxx
        3. J-CDMA, fc=856.5/911.5MHz, 모델명 EFSD911MD1 또는 EFSD911MD2
      3. 2007년 팬택&큐리텔 스위블 피처폰 canU701D에서
        1. 외관
        2. 측정
        3. 기밀성 테스트(문제 없다.) 및 온도 특성
        4. 납땜 단자 고착 강도
        5. 다이
        6. 현미경 촬영 거리를 줄이기 위해, 다이를 뜯어내기 위해, 빨갛게 달궈 Ag 에폭시 접착력을 떨어뜨려 다이를 뜯어냄
    4. SAWTEK 856331, CDMA용 850MHz
      1. 규격서 - 6p
      2. SAW-핸드폰DPX
        1. SAWTEK 856331, W마크가 이 기종이다. 1997년 141일차, 생산지C
        2. 주파수 특성
        3. 뚜껑 열기(delidding)
        4. 패턴
  6. 3.2x2.5mm
    1. 무라타 SAW UMTS 2100(Tx 1920-1980, Rx 2110-2170) DPX, 3.2x2.5mm LTCC 기판 캐비티 구리전극, 2칩, 플립본딩, AuSn 실링
      1. 2008년 1월 제조된 LG-SH170 슬라이드 피처폰
        1. 리드 실링이 틀어져 있다. (힘들게 하나씩 리드를 누르면서 실링했다는 뜻)
        2. AuSn 실링
        3. 다이 패턴
        4. 어떤 칩 다이싱 단면
      2. 2008.04 제조 삼성 SPH-W4700 슬라이드 피처폰
        1. 외관
        2. 플립본딩
        3. 칩1, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
        4. 칩2, 유전체 보호막 때문에 웨이퍼 표면이 보라색으로 보임
  7. 3.0x2.5mm
    1. 엡코스
      1. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D
        1. 두 개 제품 외관
        2. 위 사진에서 왼쪽에 있는 7662 마킹, 1765/1855MHz Korea PCS용
        3. 오른쪽에 있는 A21 마킹, 836.5/881.5MHz용
          1. 다이 패턴
          2. 다이 뒷면을 빨갛게 가열한 후
    2. 후지쯔
      1. 제품규격서
        1. - 11p
    3. 밸러스 Rx, SJB(송진백)
  8. 2.5x2.0mm
    1. 와이솔
      1. 2010/10 삼성 GT-B6520 휴대폰에서
        1. 위치
        2. 2번 SAW-핸드폰DPX 2.5x2.0mm, 와이솔 제품
        3. 3번 SAW-핸드폰DPX 2.5x2.0mm, 와이솔(?) 제품
    2. Epcos
      1. 2011.02 출시 삼성 와이즈 SHW-A240S 폴더 피처폰
        1. W-CDMA Band1(1950/2140MHz), Epcos 제조, 모델명 B7696(B39212B7696M810)
          1. 외관
          2. 은전극을 사용한 LTCC 제품으로, 솔더 플립본딩되어 있다.
          3. SAW 다이
          4. 다이싱은 Bevel cut
      2. 2012 삼성 갤럭시 S3 SHV-E210K
        1. 칩 9, Epcos 7968, 2.5x2.0x0.95mm, Band3 1747.5/1842.5MHz 듀플렉서, Rx는 balance-out
          1. 외관
          2. LTCC 기판
          3. 다이 패턴
          4. 정전기 파괴 영역1
          5. 정전기 파괴 영역2 - 동일 전위를 갖는 반사기임에도 정전파괴가 관찰된다.
          6. 정전기 파괴 영역3
          7. 다이싱, V-shaped dicing blade로 bevel half cut 한 후 다음에 full cut한다. (참고: step cut은 두꺼운 블레이드로 1차 자르고, 가는 블레이드로 완전히 자르는 방법을 말한다.)
    3. 무라타
      1. 2009.06 출시 삼성 슬라이드위젯폰 SCH-B8850D , 2.5x2.0mm, 마킹 DP S24, J-CDMA(851, 906)로 추정
        1. 외관
        2. 다이1
        3. 다이2
      2. 3G통신모듈에서
        1. 한국 비트앤펄스(bits and pulse) 회사에서 제작한 BPW-M100모듈
          1. 통신모듈
          2. 외관
          3. 에폭시를 제거하면
          4. 칩 뜯는 방법
          5. 패키지와 칩. Tx칩은 큰 내전력이 요구되므로, Rx칩과 공정이 달라, 표면 구조가 다르기 때문에 다른 빛깔로 관찰된다.
          6. Rx 칩. 아래 중앙이 Ant, 아래 좌우가 diffential out(좌우 대칭)
          7. Tx 칩
    4. Triquint
      1. CDMA 1x EV-DO USB Modem
        1. 외관
        2. Duplexer, 836/881MHz, 2.5x2.0mm
  9. 2.0x1.6mm
    1. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
      1. Avago A790720, Dual PAMiD
        1. 메인보드에서
        2. CSP SAW DPX 솔더링 밑면에도 EMC 재료가 빈틈없이 몰딩되어 있다.
        3. Epcos 2.0x1.6mm 도금타입 CSP SAW-핸드폰DPX
    2. 2014.07 제조 LG-F460S LG G3 Cat.6 스마트폰
      1. 전체
      2. #4 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX
        1. 보라색 알루미나 기판 위에 전기도금 주조로 만든 PCB-L 인덕터가 보인다.
        2. 다이 AC09B
        3. IDT 패턴
        4. IC 표식에서 레이어 공정 표식(5-layer인듯) 및 광학 해상도 차트
      3. #5 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX
      4. #6, 2.0x1,6mm, HTCC SAW-핸드폰DPX
      5. #8 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX, 무라타 제조
        1. 기판 뒷면에서
        2. Tx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
        3. Rx SAW 다이 - 불에 태워서 PCB와 분리함
      6. #14 2.0x1.6mm SAW-핸드폰DPX, 무라타 제조
    3. 2015 LG-F570S LG Band Play 에서
      1. #5, 마킹 PMKY
        1. 가장 오른쪽, 와이솔 제품
        2. 알루미나 기판
        3. SAW-핸드폰DPX
      2. #6, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 kA? 4A, PCB 기판
        1. 외관
        2. 다이1
        3. 다이2
      3. #7, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 WAd @2M
        1. 외관
        2. SAW 다이1
        3. SAW 다이2
      4. #8, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm, 마킹 mAb 4Q
        1. 외형
        2. Tx 다이
        3. Rx 다이
        4. 와이어본딩 기술처럼, 플립본딩된 범프볼 관찰
        5. 도금용 타이바가 없는 유기물기판이다.
      5. #9, SAW-핸드폰DPX 2.0x1.6mm DPX, 마킹 7T0 91\, Epcos, 구리 기둥 제품
        1. 외관
        2. 다이
    4. 한국 SK텔레콤용 포켓WiFi에서 사용된 무라타 850/1800MHz
      1. 2.0x1.6mm 1800MHz용
        1. 외형
        2. 내부
        3. Rx 칩
        4. Tx 칩에서
        5. 칩에서 범프볼(와이어가 길게 존재함)
        6. 2.0x1.6mm 850MHz용
          1. 외형
          2. Rx 칩
          3. Tx 칩
      2. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #09, Epcos
    5. 1.8x1.4mm
      1. 크기 비교 사진
        1. 9.5x7.5mm vs 1.8x1.4mm
          1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 Taiyo Yuden 1.8x1.4mm
      2. 2013.10 출시 애플 iPhone 5S 스마트폰
        1. Skyworks 77810-12 (B 5/8 Dual PAMiD)?
          1. 모듈에서
          2. 1.8x1.4mm, Taiyo Yuden, CSP SAW-핸드폰DPX
      3. 2016.01 출시 삼성 SM-A710S 갤럭시 A7 LTE 스마트폰
        1. PAM 옆에서, Epcos 1.8x1.4mm B7(2600MHz로 추정) 가장 높은 주파수이어서? 매칭소자를 많이 넣어야 하므로(?) FEMiD에서 빠진듯.
          1. 외관
          2. 몰딩 수지를 벗기면
          3. 솔더 플립본딩된 다이를 알루미나 기판에서 분리하면
          4. 다이
        2. Sub 안테나 근처, Diversity-Rx SAW 모듈이 있는 PCB 반대면에
          1. 위치한 곳 및 외관
          2. 표면 상단 수지막을 벗기면
          3. 알루미나 기판에서 다이 분리
      4. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데,
        1. Qorvo , TQQ1003 1747.5/1842.5MHz LTE Band3 WLP SMR-[BAW]] 참조
        2. Murata 1.55x1.15mm 한 개 (아래 참조)
        3. Taiyo Yuden 5개 - 1개 FBAR+SAW조합, 1개 사파이어접합, 3개 SAW
          1. 주파수를 알아내기 위한 간이 측정 방법
          2. 측면
          3. 701, LTE Band7 Tx:2535MHz, Rx:2655MHz
            1. 주파수 파형
            2. Tx필터 온도 특성 실험-1
              1. 치구 준비
              2. 가열 냄비 준비
              3. 과불소화 액체는 Solvay Solexis회사의 GALDEN D03 제품(비점 190도, 유전율 2.1, 유전손실 0.0002)을 부었다.
              4. 실험 방법
              5. 5071C 네트워크분석기에서 주파수 값과 3478A DMM에서 R 읽어 온도 환산 프로그램 tcf-ibw.txt
              6. 엑셀 데이터
            3. Tx필터 온도 특성 실험-2, 첫실험이 성공이어서 온도를 더 높게 빠르게 올림
              1. 30와 130도씨에서 특성 그래프 비교
              2. 그래프
              3. 사용된 액체 부피가 작고, 수위가 낮아 온도 편차가 크다. 그러므로 빠른 온도 상승에서는 액체를 순환시켜야(저어야)겠다.
            4. 다이 내부 - 두께가 두꺼운 제품이다.
              1. SAW + BAW 조합이다.
              2. F-BAR baw 필터
              3. 공진기 #1~#6
              4. Rx saw 필터
          4. 7B1, LTE Band2, Tx:1880MHz Rx:1960MHz, 두꺼운 제품인다.
            1. 주파수 파형
            2. 땜납으로 4변에 벽을 세웠다.
            3. 사파이어+LT(?) 접합 웨이퍼를 사용했다.
            4. 다이를 뜯어냄
            5. Rx
            6. Tx:1880MHz
              1. 전체
              2. withdrawal weighting에서 이처럼 전극이 넓으면 reflection withdrawal weighting, 전극을 빼면 reflection withdrawal weighting이라고 부르자.
              3. 90도로 배열된 C패턴
          5. 7A4, LTE Band1
            1. 주파수 파형
            2. 전체
            3. Rx
            4. Tx
          6. 7G6, LTE Band8, 두께가 얇은 제품이다.
            1. 주파수 파형
            2. 다이 내부
          7. 7E4, LTE Band5
            1. 주파수 파형
            2. 다이 내부
      5. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #11, Kyocera, K202 마킹
          1. 참고 Kyocera SD18 시리즈에서
            1. SD18-0847R8UUB1, Band20, 마킹 K202 (2022년 현재 NRND, Not Recommended for New Design)
            2. Band20(832~862, 791~821MHz)는 이 핸드폰이 사용하는 셀룰라 주파수는 아니다.
          2. 불에 태워서
          3. T(Tx로 추정) B20 601 마킹
          4. R(Rx로 추정) B20 722 마킹
          5. 의견
            1. 처음보는 HTCC 패키지 패턴이다. 솔더본딩이다. 에폭시 필름 라미네이팅으로 기밀했다.
            2. 타회사와 달리, 마스크 설계를 결정의 Y축으로 한다.
            3. 보호막이 없다고 생각됨.
            4. 솔더접합을 위한 under-bump metallization(UBM)이 매우 약하다.(없다?)
        2. #10, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
        3. #12, Taiyo Yuden, 허메틱 실링
        4. #13, Murata, GY35-A1
    6. 1.55x1.15mm
      1. 크기 비교 사진
        1. 9.5x7.5mm vs 1.55x1.15mm
          1. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서 나온 무라타 1.55x1.15mm
      2. 2017.02 출시 샤오미 Redmi Note 4X 스마트폰에서, 7개 사용하는데, 이중 무라타 하나가 해당
        1. Murata CG/3J, 1.55x1.15mm 크기
          1. 외관
          2. 패키징
          3. 다이
    7. 1.4x1.1mm
      1. 2018.10 출시 샤오미 Redmi Note 6 Pro 스마트폰에서
        1. #8, Epcos